10 A Semiconductores

Tipos de Semiconductores

Cambiar Vista por categorías
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD 4,498En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 330
: 2,500


Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V 2,306En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET 1,698En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L 10,142En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000


MACOM GaN FETs GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W 9En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds 292En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A 540En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Pch -30V -10A 12,773En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI 733En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET 3,845En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Taiwan Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET 5,202En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT 755-RF4E110BNTR 2,986En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

STMicroelectronics GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor 693En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
: 3,000

Rectron Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1,384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II 2,200En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh 1,019En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A 374En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A 3,643En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Nexperia GaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12 2,235En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET 2,490En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 80V 10A 2,795En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Nexperia GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK 2,488En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. 6,472En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET 2,403En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds 5,511En existencias
Min.: 1
Mult.: 1