|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
- DMG4466SSSL-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$1.06
-
4,498En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMG4466SSSL-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
|
|
4,498En existencias
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.506
|
|
|
$0.427
|
|
|
$0.427
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 330
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
- DMG4822SSDQ-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$1.52
-
2,306En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMG4822SSDQ-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
|
|
2,306En existencias
|
|
|
$1.52
|
|
|
$0.711
|
|
|
$0.63
|
|
|
$0.525
|
|
|
$0.399
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.449
|
|
|
$0.353
|
|
|
$0.348
|
|
|
$0.342
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
- RCJ100N25TL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.61
-
1,698En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RCJ100N25TL
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10V Drive Nch MOSFET
|
|
1,698En existencias
|
|
|
$2.61
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.919
|
|
|
$0.852
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.752
|
|
|
$0.725
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
- SIHJ10N60E-T1-GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.87
-
10,142En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIHJ10N60E-T1-GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
|
|
10,142En existencias
|
|
|
$3.87
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FETs GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
- GTVA126001EC-V1-R0
- MACOM
-
1:
$1,126.65
-
9En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
941-GTVA126001ECV1R0
|
MACOM
|
GaN FETs GaN HEMT 50V 1.2-1.4GHz 600W
|
|
9En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
- IXFP10N80P
- IXYS
-
1:
$8.31
-
292En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFP10N80P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
|
|
292En existencias
|
|
|
$8.31
|
|
|
$4.50
|
|
|
$4.13
|
|
|
$3.83
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A
- STF12NK60Z
- STMicroelectronics
-
1:
$4.58
-
540En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF12NK60Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A
|
|
540En existencias
|
|
|
$4.58
|
|
|
$2.35
|
|
|
$2.13
|
|
|
$1.76
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.75
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.54
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Pch -30V -10A
- RRH100P03GZETB
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.57
-
12,773En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
755-RRH100P03GZETB
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Pch -30V -10A
|
|
12,773En existencias
|
|
|
$2.57
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.904
|
|
|
$0.862
|
|
|
$0.784
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
- PJMF390N65EC_T0_00001
- Panjit
-
1:
$2.11
-
733En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
241-PJMF390N65T00001
|
Panjit
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
|
|
733En existencias
|
|
|
$2.11
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
- TQM130NB06CR RLG
- Taiwan Semiconductor
-
1:
$1.97
-
3,845En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
821-TQM130NB06CRRLG
|
Taiwan Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
|
|
3,845En existencias
|
|
|
$1.97
|
|
|
$0.948
|
|
|
$0.819
|
|
|
$0.671
|
|
|
$0.58
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.637
|
|
|
$0.559
|
|
|
$0.504
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET
- TQM110NB04DCR RLG
- Taiwan Semiconductor
-
1:
$2.66
-
5,202En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
821-TQM110NB04DCRRLG
|
Taiwan Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 50A, Dual N-Channel Power MOSFET
|
|
5,202En existencias
|
|
|
$2.66
|
|
|
$1.62
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.986
|
|
|
$0.825
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.873
|
|
|
$0.742
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT 755-RF4E110BNTR
- RQ1E100XNTR
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.81
-
2,986En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
755-RQ1E100XNTR
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT 755-RF4E110BNTR
|
|
2,986En existencias
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.745
|
|
|
$0.591
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.525
|
|
|
$0.478
|
|
|
$0.468
|
|
|
$0.403
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT240R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
$3.82
-
693En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SGT240R70ILB
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
GaN FETs 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
693En existencias
|
|
|
$3.82
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.75
|
|
|
$1.75
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
- RM10N100LDV-T
- Rectron
-
1:
$1.08
-
1,384En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
583-RM10N100LDV-T
|
Rectron
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
|
|
1,384En existencias
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.666
|
|
|
$0.439
|
|
|
$0.345
|
|
|
$0.257
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.303
|
|
|
$0.236
|
|
|
$0.228
|
|
|
$0.222
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
- STL13NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$3.71
-
2,200En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL13NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
|
|
2,200En existencias
|
|
|
$3.71
|
|
|
$2.42
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.10
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
- STB22NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$5.14
-
1,019En existencias
-
Verificar estado con la fábrica
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB22NM60N
Verificar estado con la fábrica
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
|
|
1,019En existencias
|
|
|
$5.14
|
|
|
$3.88
|
|
|
$3.55
|
|
|
$3.01
|
|
|
$2.93
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
- STP13N95K3
- STMicroelectronics
-
1:
$8.20
-
374En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP13N95K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
|
|
374En existencias
|
|
|
$8.20
|
|
|
$4.79
|
|
|
$4.20
|
|
|
$3.73
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.60
|
|
|
$3.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A
- STD10NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$3.19
-
3,643En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD10NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 10A
|
|
3,643En existencias
|
|
|
$3.19
|
|
|
$2.04
|
|
|
$1.65
|
|
|
$1.40
|
|
|
$1.28
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
- GANB012-040CBAZ
- Nexperia
-
1:
$2.03
-
2,235En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
771-GANB012-040CBAZ
Nuevo producto
|
Nexperia
|
GaN FETs GANB012-040CBA/SOT8088/WLCSP12
|
|
2,235En existencias
|
|
|
$2.03
|
|
|
$0.895
|
|
|
$0.838
|
|
|
$0.665
|
|
|
$0.518
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.644
|
|
|
$0.463
|
|
|
$0.454
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET
- RD3N01BATTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.83
-
2,490En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
755-RD3N01BATTL1
Nuevo producto
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET
|
|
2,490En existencias
|
|
|
$1.83
|
|
|
$0.873
|
|
|
$0.779
|
|
|
$0.615
|
|
|
$0.504
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.591
|
|
|
$0.491
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 80V 10A
- RQ3N040ATTB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.69
-
2,795En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
755-RQ3N040ATTB1
Nuevo producto
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HSMT8 P-CH 80V 10A
|
|
2,795En existencias
|
|
|
$1.69
|
|
|
$0.801
|
|
|
$0.714
|
|
|
$0.561
|
|
|
$0.449
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.534
|
|
|
$0.443
|
|
|
$0.433
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
- GANE240-700BBAZ
- Nexperia
-
1:
$3.52
-
2,488En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
771-GANE240-700BBAZ
Nuevo producto
|
Nexperia
|
GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
|
|
2,488En existencias
|
|
|
$3.52
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.09
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.03
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
- HT8KC5TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.67
-
6,472En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-HT8KC5TB1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
|
|
6,472En existencias
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.706
|
|
|
$0.555
|
|
|
$0.505
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.506
|
|
|
$0.456
|
|
|
$0.433
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
- R6010YND3TL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.92
-
2,403En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6010YND3TL1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
|
|
2,403En existencias
|
|
|
$2.92
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.30
|
|
|
$1.05
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.934
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
- IXTP10P50P
- IXYS
-
1:
$8.69
-
5,511En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTP10P50P
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
|
|
5,511En existencias
|
|
|
$8.69
|
|
|
$5.41
|
|
|
$4.97
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