Resultados: 116
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 120A 375W AEC-Q101 Qualified 1,956En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 285 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 13,877En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 12 A 16.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 6.8 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 1,124En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.21 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 230 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified 11,861En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 300 V 10 A 275 mOhms - 30 V, 30 V 3.4 V 47 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 16A 7.1W AEC-Q101 Qualified 5,726En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 60 V 16 A 10 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 68 nC - 55 C + 175 C 7.1 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V Vds 46A Id AEC-Q101 Qualified 2,767En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8L-4 N-Channel 1 Channel 80 V 46 A 11.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified 2,551En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 40 V 8 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 5 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds; +/-12V Vgs PowerPAK SC-70-6L 4,857En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 1 Channel 30 V 2.25 A 56 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 5.2 nC - 55 C + 175 C 13.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W 2,317En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8W-8 N-Channel 1 Channel 30 V 16 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 26 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V Vds 20V Vgs TO-263 716En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 90 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified 798En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 840 uOhms - 20 V, 20 V 3 V 158 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V Vds 20V Vgs TO-263 14,301En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 65 A 24.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 50 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 13,961En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,600
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 75 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 100 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET 26,750En existencias
21,000Se espera el 4/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SC-70W-6 N-Channel 1 Channel 30 V 5.63 A 54 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 175 C 13.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 3,832En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 504 A 870 uOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 196 nC - 55 C + 175 C 266 W Enhancement Reel, Cut Tape

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id 60,698En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 240 mOhms - 8 V, 8 V 460 mV 2.5 nC - 55 C + 175 C 3 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified 37,343En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 100 V 48 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified 32,950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 60 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 80 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified 10,291En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 60 V 200 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 135 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 2,506En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 40 V 153 A 3.45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET 2,875En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8 N-Channel 1 Channel 80 V 72 A 8.67 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 119 W Enhancement Reel, Cut Tape

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified 17,301En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 1 Channel 60 V 1.7 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 5.5 nC - 55 C + 175 C 3.3 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-363/SC-70 14,901En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 1 Channel 60 V 440 mA 1.41 Ohms - 8 V, 8 V 450 mV 4.1 nC - 55 C + 175 C 430 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified 3,019En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,000
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 7 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 29 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101 TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 250-V (D-S) 175C MOSFET 3,214En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 11.5 A 134.2 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 10.6 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement TrenchFET