Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET MLPAK33

Los MOSFET MLPAK33 de Nexperia ofrecen un voltaje puerta-fuente máximo de 20 V y una resistencia en estado de drenaje a fuente de hasta 275 mΩ. Estos MOSFET se incluyen en un paquete MLPAK33 y se dividen en dos series: PXN y PXP. Los MOSFET de tipo trinchera de canal N PXN son compatibles con nivel lógico y cuentan con tecnología MOSFET de trinchera, Q_G y Q_GD ultrabaja para lograr una alta eficiencia del sistema y conmutación súper rápida con recuperación suave. Los MOSFET de tipo trinchera de canal P PXP ofrecen un bajo perfil de 0.8 mm y baja resistencia térmica. Los MOSFET MLPAK33 de Nexperia tienen un rango de temperatura ambiente de -55 °C a +150 °C.

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Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP8R3-20QX/SOT8002/MLPAK33

PXP8R3-20QXJ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN4R7-30QL/SOT8002/MLPAK33

PXN4R7-30QLJ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33

PXN017-30QLJ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN018-30QL/SOT8002/MLPAK33

PXN018-30QLJ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33

PXN5R4-30QLJ
Nexperia
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33

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Nexperia
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33

PXN9R0-30QLJ
Nexperia
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP011-20QX/SOT8002/MLPAK33

PXP011-20QXJ
Nexperia
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PXP011-20QXJ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP400-100QS/SOT8002/MLPAK33

PXP400-100QSJ
Nexperia
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PXP400-100QSJ

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771-PXP400-100QSJ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP1500-100QS/SOT8002/MLPAK33

PXP1500-100QSJ
Nexperia
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PXP1500-100QSJ

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771-PXP1500-100QSJ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP6R1-30QL/SOT8002/MLPAK33

PXP6R1-30QLJ
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MLPAK33-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP9R1-30QL/SOT8002/MLPAK33

PXP9R1-30QLJ
Nexperia
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PXP9R1-30QLJ

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN010-30QL/SOT8002/MLPAK33

PXN010-30QLJ
Nexperia
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6,000Se espera el 30/07/2027

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PXN010-30QLJ

N.º de artículo de Mouser
771-PXN010-30QLJ

Nexperia

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$0.211

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30 V

10.3 A

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+ 150 C

4.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33

PXN8R3-30QLJ
Nexperia
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PXN8R3-30QLJ

N.º de artículo de Mouser
771-PXN8R3-30QLJ

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SOT8002-1-8

N-Channel

1 Channel

30 V

18.3 A

11.1 mOhms

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+ 150 C

4.3 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP013-30QL/SOT8002/MLPAK33

PXP013-30QLJ
Nexperia
1: $1.10
3,000Se espera el 30/07/2027

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PXP013-30QLJ

N.º de artículo de Mouser
771-PXP013-30QLJ

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$0.253

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SMD/SMT

SOT8002-1-8

P-Channel

1 Channel

30 V

14.7 A

13.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

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+ 150 C

40 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP018-20QX/SOT8002/MLPAK33

PXP018-20QXJ
Nexperia
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3,000Se espera el 30/07/2027

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PXP018-20QXJ

N.º de artículo de Mouser
771-PXP018-20QXJ

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$0.273

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$0.237

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20 V

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50 W

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Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP020-20QX/SOT8002/MLPAK33

PXP020-20QXJ
Nexperia
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N.º de artículo del Fabricante
PXP020-20QXJ

N.º de artículo de Mouser
771-PXP020-20QXJ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP020-20QX/SOT8002/MLPAK33

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Cinta cortada

$0.88

$0.548

$0.435

$0.336

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Envase tipo carrete

$0.226

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MLPAK33-8

P-Channel

1 Channel

20 V

8 A

20 mOhms

- 12 V, 12 V

1.25 V

19.4 nC

- 55 C

+ 150 C

1.8 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP3R7-12QU/SOT8002/MLPAK33

PXP3R7-12QUJ
Nexperia
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PXP3R7-12QUJ

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771-PXP3R7-12QUJ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PXP3R7-12QU/SOT8002/MLPAK33

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MLPAK33-8

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1 Channel

12 V

98.6 A

3.7 mOhms

- 8 V, 8 V

900 mV

75 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

MOSFET MLPAK33

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