SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs

ROHM Semiconductor SCT3x series SiC Trench MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure that reduces ON resistance by 50% and input capacitance by 35% compared with planar-type SiC MOSFETs. This design results in significantly lower switching loss and faster switching speeds, improving operational efficiency while reducing power loss in a variety of equipment. ROHM Semiconductor SCT3x includes 650V and 1200V variants for broad applicability.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
412En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC Nch 1200V 95A SiC TO-247N
Hoja de datos
5En existencias
450Se espera el 8/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC
Hoja de datos
201En existencias
1,020En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
4,934En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
1,291Se espera el 5/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
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Comentarios de Producto
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 450
Mult.: 450

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101