Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Q_rr, t_rr) and shows 20% lower R_DS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.

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Resultados: 36

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

STF33N60DM2
STMicroelectronics
1: $5.29
687En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF33N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STF33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

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Hoja de datos

687En existencias

$5.29

$2.75

$2.50

$2.07

$2.00

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

24 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

STW24N60DM2
STMicroelectronics
1: $4.68
325En existencias
600Se espera el 12/03/2027

N.º de artículo del Fabricante
STW24N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW24N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2

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Hoja de datos

325En existencias

600Se espera el 12/03/2027

$4.68

$2.60

$2.14

$1.80

$1.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

18 A

200 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

29 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

FDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

STW28N60DM2
STMicroelectronics
1: $5.52
184En existencias
1,800Se espera el 29/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
STW28N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

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Hoja de datos

184En existencias

1,800Se espera el 29/01/2027

$5.52

$3.62

$2.70

$1.98

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW48N60DM2
STMicroelectronics
1: $7.38
6En existencias
2,400Se espera el 26/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
STW48N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW48N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

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Hoja de datos

6En existencias

2,400Se espera el 26/02/2027

$7.38

$4.83

$3.56

$3.16

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

65 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

STW56N60DM2
STMicroelectronics
1: $9.64
211En existencias
600Se espera el 12/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
STW56N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW56N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag

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Hoja de datos

211En existencias

600Se espera el 12/02/2027

$9.64

$6.08

$5.37

$4.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

50 A

60 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-247 package

STW35N60DM2
STMicroelectronics
1: $6.23
11En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW35N60DM2

STMicroelectronics

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Hoja de datos

11En existencias

$6.23

$3.59

$2.75

$2.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD8N60DM2
STMicroelectronics
1: $2.12
4,990Se espera el 14/05/2027

N.º de artículo del Fabricante
STD8N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD8N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

4,990Se espera el 14/05/2027

Cinta cortada

$2.12

$1.02

$0.907

$0.718

Envase tipo carrete

$0.557

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

570 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP28N60DM2
STMicroelectronics
1: $4.80
998Se espera el 30/04/2027

N.º de artículo del Fabricante
STP28N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

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Hoja de datos

998Se espera el 30/04/2027

$4.80

$2.47

$2.25

$1.85

$1.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV

STL33N60DM6
STMicroelectronics
3,000: $1.52
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STL33N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STL33N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas

Envase tipo carrete

$1.52

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

600 V

21 A

140 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

150 W

Enhancement

MDmesh

Reel

STP35N60DM2
STMicroelectronics
1: $5.52
Plazo de entrega 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STP35N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP35N60DM2

STMicroelectronics

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Hoja de datos

Plazo de entrega 24 Semanas

$5.52

$2.86

$2.61

$2.16

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

28 A

110 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 150 C

210 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

STW33N60DM2
STMicroelectronics
600: $2.68
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STW33N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STW33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package

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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

$2.68

Min.: 600
Mult.: 600

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

24 A

130 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

43 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

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