Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 1,368En existencias
2,500Se espera el 15/10/2026
Cinta cortada
$2.19
$1.06
$0.943
$0.749
$0.717
Envase tipo carrete
$0.618
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 12,647En existencias
Cinta cortada
$1.94
$0.926
$0.813
$0.645
Envase tipo carrete
$0.523
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 2 Ohms 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 2,960En existencias
2,500Se espera el 8/10/2026
Cinta cortada
$2.78
$1.58
$1.22
$1.03
Envase tipo carrete
$0.841
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Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 5,766En existencias
Cinta cortada
$1.91
$1.22
$0.817
$0.645
Envase tipo carrete
$0.52
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 9,364En existencias
63,000Se espera el 24/12/2026
Cinta cortada
$1.48
$0.691
$0.614
$0.479
Envase tipo carrete
$0.367
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 3.7 Ohms 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 179En existencias
2,000En pedido
$2.45
$1.20
$1.07
$0.854
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW 5En existencias
2,500Se espera el 18/02/2027
Cinta cortada
$3.39
$1.92
$1.48
$1.22
$1.17
Envase tipo carrete
$1.05
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 14 A 450 mOhms 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
2,999En pedido
$2.62
$1.23
$1.11
$0.938
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
$3.40
$1.70
$1.54
$1.24
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 14 A 450 mOhms 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube