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Transistores de potencia de GaN RF Airfast A5Gx

Los transistores de potencia de GaN RF Airfast A5Gx de NXP Semiconductors son transistores de potencia de GaN RF Doherty asimétricos de 85 W y 112 W. Los transistores A5Gx de NXP Semiconductors son ideales para estaciones base celulares que requieren amplios anchos de banda. Se garantiza el rendimiento de los dispositivos dentro del rango de la frecuencia especificada para cada componente, pero no fuera de él.

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Resultados: 6

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Frecuencia de trabajo máxima	Frecuencia de trabajo mínima	Tecnología
	GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V A5G19H605W19NR3 NXP Semiconductors 1: $258.36 35En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante A5G19H605W19NR3 N.º de artículo de Mouser 771-A5G19H605W19NR3 Fin de vida útil	NXP Semiconductors	GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1930 1995 MHz, 85 W Avg., 48 V	Hoja de datos	35En existencias	Cinta cortada $258.36 $219.17 $208.38 $203.38 Ver Envase tipo carrete $196.29 $200.76 $196.29 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 250								1.995 GHz	1.93 GHz	GaN-on-Si
	GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V A5G21H605W19NR3 NXP Semiconductors 1: $258.48 208En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante A5G21H605W19NR3 N.º de artículo de Mouser 771-A5G21H605W19NR3 Fin de vida útil	NXP Semiconductors	GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2110-2200 MHz, 85 W Avg., 48 V	Hoja de datos	208En existencias	Cinta cortada $258.48 $219.28 $208.49 $203.48 Ver Envase tipo carrete $196.38 $200.86 $196.38 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 250			SMD/SMT	OM-780-4S4S-8	125 V	- 55 C	+ 150 C	2.2 GHz	2.11 GHz	GaN-on-Si
	GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V A5G07H800W19NR3 NXP Semiconductors 1: $287.59 30En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante A5G07H800W19NR3 N.º de artículo de Mouser 771-A5G07H800W19NR3 Fin de vida útil	NXP Semiconductors	GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 717-850 MHz, 112 W Avg., 50 V	Hoja de datos	30En existencias	Cinta cortada $287.59 $243.98 $231.96 $226.39 $221.11 Envase tipo carrete $221.11	Min.: 1 Mult.: 1 : 250			SMD/SMT	OM-780-4S4S-8	125 V	- 55 C	+ 150 C	850 MHz	717 MHz	GaN-on-Si
	GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V A5G18H610W19NR3 NXP Semiconductors 1: $263.78 5En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante A5G18H610W19NR3 N.º de artículo de Mouser 771-A5G18H610W19NR3 Fin de vida útil	NXP Semiconductors	GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 85 W Avg., 48 V	Hoja de datos	5En existencias	Cinta cortada $263.78 $223.78 $212.76 $207.65 Ver Envase tipo carrete $199.55 $204.44 $199.55 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 250			SMD/SMT	OM-780-4S4S-8	125 V	- 55 C	+ 150 C	1.88 GHz	1.805 GHz	GaN-on-Si
	GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V A5G26H605W19NR3 NXP Semiconductors 1: $271.34 2En existencias Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante A5G26H605W19NR3 N.º de artículo de Mouser 771-A5G26H605W19NR3 Fin de vida útil	NXP Semiconductors	GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 2496-2690 MHz, 85 W Avg., 48 V	Hoja de datos	2En existencias	Cinta cortada $271.34 $230.19 $218.86 $213.60 Ver Envase tipo carrete $206.16 $210.75 $206.16 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 250			SMD/SMT	OM-780-4S4S-8	125 V	- 55 C	+ 150 C	2.69 GHz	2.496 GHz	GaN-on-Si
	GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V A5G08H800W19NR3 NXP Semiconductors 1: $287.61 Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas Fin de vida útil	N.º de artículo del Fabricante A5G08H800W19NR3 N.º de artículo de Mouser 771-A5G08H800W19NR3 Fin de vida útil	NXP Semiconductors	GaN FETs Airfast RF Power GaN Transistor, 865-960 MHz, 112 W Avg., 50 V	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas	Cinta cortada $287.61 $243.99 $231.98 $226.40 Ver Envase tipo carrete $219.57 $223.25 $219.57 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1 : 250			SMD/SMT	OM-780-4S4S-8	125 V	- 55 C	+ 150 C	960 MHz	865 MHz	GaN-on-Si