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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS
103,896En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.2 A 52 mOhms - 8 V, 8 V 500 mV 10.2 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs Complmtry Enh FET
83,994En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 2.8 A, 3.4 A 100 mOhms, 140 mOhms - 20 V, 20 V 1 V, 2.3 V 9 nC, 7 nC - 55 C + 150 C 1.27 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101
103,895En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 50 V 500 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV 600 pC - 55 C + 150 C 540 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
11,360En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 730
: 3,000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 2 Channel 60 V 630 mA 1.1 Ohms - 12 V, 12 V 1.3 V 740 pC - 55 C + 150 C 1.09 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH Enhance Mode
5,700Se espera el 19/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 P-Channel 1 Channel 40 V 7.2 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 33.7 nC - 55 C + 150 C 810 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V P-CH Enhance Mode
14,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 P-Channel 1 Channel 40 V 7.2 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 800 mV 33.7 nC - 55 C + 150 C 810 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel