Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Guatemala

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 5.0 Amp IRF830ALPBF Vishay Semiconductors 1: $3.34 1,223En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF830ALPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF830ALPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 500V 5.0 Amp	Hoja de datos	1,223En existencias	$3.34 $1.70 $1.51 $1.23 $1.10	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-262-3	N-Channel	1 Channel	500 V	5 A	1.4 Ohms	30 V	2 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 5A N-CH MOSFET IRF830ASPBF Vishay Semiconductors 1: $2.96 1,387En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF830ASPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF830ASPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 5A N-CH MOSFET	Hoja de datos	1,387En existencias	$2.96 $1.59 $1.31 $1.07 Ver $0.974 $0.954 $0.924	Min.: 1 Mult.: 1			Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	5 A	1.4 Ohms	30 V	2 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRF8 IRF830APBF Vishay Semiconductors 1: $2.43 1,182En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF830APBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF830APBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRF8	Hoja de datos	1,182En existencias	$2.43 $1.66 $1.17 $0.903 $0.87	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1,000			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	5 A	1.4 Ohms	30 V	4.5 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 5A N-CH MOSFET IRF830ASTRLPBF Vishay Semiconductors 1: $2.48 735En existencias 800Se espera el 24/09/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF830ASTRLPBF N.º de artículo de Mouser 844-IRF830ASTRLPBF	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 5A N-CH MOSFET	Hoja de datos	735En existencias 800Se espera el 24/09/2026	Cinta cortada $2.48 $1.51 $1.31 $1.08 Envase tipo carrete $1.03 $1.00 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 800			Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	500 V	5 A	1.4 Ohms	30 V	2 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	3.1 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 5A N-CH MOSFET IRF830APBF-BE3 Vishay / Siliconix 1: $2.05 1,088En existencias 2,000Se espera el 22/09/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF830APBF-BE3 N.º de artículo de Mouser 78-IRF830APBF-BE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 500V 5A N-CH MOSFET	Hoja de datos	1,088En existencias 2,000Se espera el 22/09/2026	$2.05 $1.39 $0.93 $0.80 Ver $0.672 $0.651	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	500 V	5 A	1.4 Ohms	30 V	4.5 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	Tube