MXP075 MaxSiC® 750V N-Channel MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC® 750V N-Channel MOSFETs feature a 750V drain-source voltage, fast switching speed, and 3μs short circuit withstand time. These MOSFETs also feature maximum power dissipation of 208W (Tc = 25°C) and continuous drain current of 51A (Tc = 25°C). The Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC 750V N-Channel MOSFETs are halogen-free and are available in the TO-247AD 4L package. Users design these MOSFETs into chargers, auxiliary motor drives, and DC-DC converters.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 14/04/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 750 V 51 A 50 mOhms - 10 V, + 22 V 2.65 V 77 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs de SiC 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Hoja de datos
600Se espera el 7/04/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 750 V 51 A 50 mOhms - 10 V, + 22 V 2.65 V 77 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement