Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SPW11N80C3

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SPP04N80C3XKSA1

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726-SPP04N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

800 V

4 A

1.1 Ohms

- 20 V, 20 V

2.1 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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SPA11N80C3
Infineon Technologies
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SPA11N80C3

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726-SPA11N80C3

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TO-220FP-3

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800 V

11 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

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34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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SPP11N80C3
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SPP11N80C3

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726-SPP11N80C3

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11 A

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2.1 V

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