Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

30V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 30V HEXFET® Power MOSFETs are designed for high density applications requiring small size, high efficiency and improved thermal conduction, making them ideally suited for notebook applications and point-of-load (POL) converters used in servers, as well as advanced telecom and datacom systems. These 30V HEXFET Power MOSFETs offer significant gate oxide improvement over previous generations and provide high performance as part of a system-wide solution to optimize 12V_IN / 1V to 3V_OUT DC-DC synchronous buck converter applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 31

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Calificación

Nombre comercial

Empaquetado

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2 IPD090N03LGATMA1 Infineon Technologies 1: $1.39 22,124En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD090N03LGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD090N03LGATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A DPAK-2	Hoja de datos	22,124En existencias	Cinta cortada $1.39 $0.646 $0.547 $0.444 Envase tipo carrete $0.322 Ver $0.404 $0.307 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	30 V	40 A	7.5 mOhms	20 V	2.2 V	15 nC	- 55 C	+ 175 C	42 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 IPD031N03LGATMA1 Infineon Technologies 1: $1.98 3,948En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPD031N03LGATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPD031N03LGATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	3,948En existencias	Cinta cortada $1.98 $0.813 $0.721 $0.613 $0.602 Envase tipo carrete $0.58 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	30 V	90 A	2.6 mOhms	20 V	1 V	33 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg IRF8736TRPBF Infineon Technologies 1: $1.75 109,278En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF8736TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF8736TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	109,278En existencias	Cinta cortada $1.75 $0.833 $0.743 $0.585 Ver Envase tipo carrete $0.462 $0.56 $0.534 $0.462 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	1 Channel	30 V	18 A	6.8 mOhms	20 V	1.8 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET IRF7103TRPBFXTMA1 Infineon Technologies 1: $1.09 7,582En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF7103TRPBFXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRF7103TRPBFXTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	7,582En existencias	Cinta cortada $1.09 $0.501 $0.443 $0.342 Envase tipo carrete $0.264 Ver $0.33 $0.309 $0.237 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SO-8	N-Channel	2 Channel	50 V	3 A	130 mOhms	20 V	3 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg IRF8788TRPBF Infineon Technologies 1: $1.83 10,478En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRF8788TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF8788TRPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg	Hoja de datos	10,478En existencias	Cinta cortada $1.83 $0.914 $0.793 $0.629 Envase tipo carrete $0.515 Ver $0.62 $0.514 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	1 Channel	30 V	24 A	3.04 mOhms	20 V	1.8 V	44 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon Technologies 1: $1.28 4,608En existencias 16,000Se espera el 20/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF7303TRPBFXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRF7303TRPBFXTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	4,608En existencias 16,000Se espera el 20/11/2026	Cinta cortada $1.28 $0.595 $0.528 $0.41 Envase tipo carrete $0.311 Ver $0.40 $0.379 $0.298 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SO-8	N-Channel	2 Channel	30 V	5.3 A	50 mOhms	20 V	1 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET IRF7313TRPBFXTMA1 Infineon Technologies 1: $1.15 2,775En existencias 8,000Se espera el 3/12/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF7313TRPBFXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRF7313TRPBFXTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	2,775En existencias 8,000Se espera el 3/12/2026	Cinta cortada $1.15 $0.533 $0.472 $0.365 Envase tipo carrete $0.27 Ver $0.355 $0.333 $0.257	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SO-8	N-Channel	2 Channel	30 V	6.5 A	29 mOhms	20 V	1 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC IRF7205TRPBF Infineon Technologies 1: $1.08 25,374En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF7205TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7205TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	25,374En existencias	Cinta cortada $1.08 $0.498 $0.441 $0.34 Envase tipo carrete $0.253 Ver $0.328 $0.307 $0.235 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	P-Channel	1 Channel	30 V	4.6 A	130 mOhms	20 V	3 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A IRF7309TRPBF Infineon Technologies 1: $1.19 11,422En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF7309TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7309TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	11,422En existencias	Cinta cortada $1.19 $0.549 $0.487 $0.377 Envase tipo carrete $0.272 Ver $0.352 $0.268 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	30 V	3.5 A, 4.7 A	80 mOhms	20 V	1 V	16.7 nC	- 55 C	+ 150 C	1.4 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A IRF7319TRPBF Infineon Technologies 1: $1.60 13,779En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF7319TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7319TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	13,779En existencias	Cinta cortada $1.60 $0.755 $0.672 $0.527 Envase tipo carrete $0.39 Ver $0.51 $0.469 $0.383 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	30 V	6.5 A	46 mOhms	20 V	1 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET IRF7341GTRPBF Infineon Technologies 1: $2.49 14,641En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF7341GTRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7341GTRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PLANAR FET Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	14,641En existencias	Cinta cortada $2.49 $1.22 $1.09 $0.872 Ver Envase tipo carrete $0.75 $0.846 $0.821 $0.75 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	2 Channel	55 V	5.1 A	65 mOhms, 65 mOhms	20 V	1 V	29 nC	- 55 C	+ 175 C	2.4 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A IRF7389TRPBF Infineon Technologies 1: $1.42 8,666En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF7389TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7389TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 7.3A Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	8,666En existencias	Cinta cortada $1.42 $0.662 $0.588 $0.458 Envase tipo carrete $0.34 Ver $0.435 $0.413 $0.317 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	30 V	5.3 A, 7.3 A	46 mOhms	20 V	1 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC IRF7416TRPBF Infineon Technologies 1: $1.60 21,585En existencias 20,000Se espera el 11/02/2027	N.º de artículo del Fabricante IRF7416TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7416TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	21,585En existencias 20,000Se espera el 11/02/2027	Cinta cortada $1.60 $0.83 $0.647 $0.516 $0.505 Envase tipo carrete $0.389 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 4,000 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	P-Channel	1 Channel	30 V	10 A	35 mOhms	20 V	1 V	61 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg IRF7862TRPBF Infineon Technologies 1: $1.88 24,353En existencias 8,000Se espera el 19/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IRF7862TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7862TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	24,353En existencias 8,000Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada $1.88 $0.898 $0.802 $0.634 Ver Envase tipo carrete $0.503 $0.612 $0.583 $0.503 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	1 Channel	30 V	21 A	4.5 mOhms	20 V	2.35 V	30 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A IRF9952TRPBF Infineon Technologies 1: $1.11 15,937En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF9952TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF9952TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL N/PCh 30V 3.5A Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	15,937En existencias	Cinta cortada $1.11 $0.51 $0.451 $0.348 Envase tipo carrete $0.257 Ver $0.339 $0.32 $0.232 $0.217 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	30 V	3.5 A	150 mOhms	20 V	1 V	14 nC, 12 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg IRLB3813PBF Infineon Technologies 1: $2.81 9,298En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRLB3813PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLB3813PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	9,298En existencias	$2.81 $1.39 $1.25 $1.00 Ver $0.935 $0.917 $0.91 $0.885 Presupuesto	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	30 V	260 A	1.95 mOhms	20 V	1.9 V	86 nC	- 55 C	+ 175 C	230 W	Enhancement	HEXFET	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg IRLML0030TRPBF Infineon Technologies 1: $0.49 67,387En existencias 84,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRLML0030TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLML0030TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	67,387En existencias 84,000En pedido	Cinta cortada $0.49 $0.217 $0.19 $0.142 Envase tipo carrete $0.106 Ver $0.14 $0.10 $0.091 $0.074 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	5.3 A	27 mOhms	20 V	1.3 V	2.6 nC	- 55 C	+ 150 C	1.3 W	Enhancement	HEXFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC IRLML2030TRPBF Infineon Technologies 1: $0.46 24,347En existencias 108,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRLML2030TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLML2030TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 2.7A 100mOhm 1.0nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	24,347En existencias 108,000En pedido	Cinta cortada $0.46 $0.27 $0.192 $0.132 $0.123 Envase tipo carrete $0.09 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	2.7 A	100 mOhms	20 V	1.3 V	1 nC	- 55 C	+ 150 C	1.3 W	Enhancement	HEXFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl IRLML2803TRPBF Infineon Technologies 1: $0.53 233,646En existencias 600,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRLML2803TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLML2803TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	233,646En existencias 600,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRLML2803TRPBF Existencias: 233,646 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 300,000 Se espera el 24/12/2026 300,000 Se espera el 7/01/2027 Plazo de entrega de fábrica: 8 Semanas	Cinta cortada $0.53 $0.373 $0.236 $0.148 Envase tipo carrete $0.114 Ver $0.13 $0.097 $0.086 $0.064 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 30,000 : 3,000	Si	SMD/SMT	SOT-23-3	N-Channel	1 Channel	30 V	1.2 A	400 mOhms	20 V	1 V	3.3 nC	- 55 C	+ 150 C	540 mW	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC IRLR7843TRPBF Infineon Technologies 1: $1.84 6,841En existencias 8,000Se espera el 15/04/2027	N.º de artículo del Fabricante IRLR7843TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLR7843TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	6,841En existencias 8,000Se espera el 15/04/2027	Cinta cortada $1.84 $0.906 $0.805 $0.66 Envase tipo carrete $0.582 Ver $0.641 $0.561 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	30 V	161 A	3.2 mOhms	20 V	2.3 V	50 nC	- 55 C	+ 175 C	140 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A IRF7907TRPBF Infineon Technologies 1: $1.39 5,245En existencias 16,000Se espera el 12/11/2026 NRND	N.º de artículo del Fabricante IRF7907TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7907TRPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL NCh 30V 9.1A	Hoja de datos	5,245En existencias 16,000Se espera el 12/11/2026	Cinta cortada $1.39 $0.647 $0.575 $0.447 Envase tipo carrete $0.329 Ver $0.42 $0.399 $0.304 $0.303 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	2 Channel	30 V	9.1 A, 11 A	17.1 mOhms, 11.5 mOhms	20 V	1.8 V	6.7 nC, 14 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg IRF8734TRPBF Infineon Technologies 1: $1.96 8,655En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRF8734TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF8734TRPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg	Hoja de datos	8,655En existencias	Cinta cortada $1.96 $0.933 $0.768 $0.621 Ver Envase tipo carrete $0.496 $0.578 $0.528 $0.496 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	N-Channel	1 Channel	30 V	21 A	5.1 mOhms	20 V	1.8 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V IRF8714TRPBFXTMA1 Infineon Technologies 1: $1.55 22,427En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRF8714TRPBFXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IRF8714TRPBFXTMA NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V	Hoja de datos	22,427En existencias	Cinta cortada $1.55 $0.728 $0.647 $0.505 Envase tipo carrete $0.378 Ver $0.487 $0.462 $0.366 $0.359 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SO-8	N-Channel	1 Channel	30 V	14 A	8.7 mOhms	20 V	2.35 V	8.1 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 30V ISA220280C03LMDSXTMA1 Infineon Technologies 1: $1.11 343En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante ISA220280C03LMDSXTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-ISA220280C03LMDS Nuevo producto	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS Dual power MOSFET 30V	Hoja de datos	343En existencias	Cinta cortada $1.11 $0.512 $0.454 $0.35 Envase tipo carrete $0.251 Ver $0.339 $0.317 $0.244	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	DSO-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	30 V	8.1 A, 8.4 A	22 mOhms, 28 mOhms	20 V	2.7 V	8.9 nC, 7.2 nC	- 55 C	+ 150 C	2.5 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A IRF7306TRPBF Infineon Technologies 1: $1.40 3,713En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF7306TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF7306TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT DUAL PCh -30V 3.6A Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 30v hexfet mosfets	Hoja de datos	3,713En existencias	Cinta cortada $1.40 $0.657 $0.584 $0.455 Envase tipo carrete $0.349 Ver $0.449 $0.415 $0.335 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000	Si	SMD/SMT	SOIC-8	P-Channel	2 Channel	30 V	3.6 A	100 mOhms	20 V	1 V	16.7 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel