TO-247-3 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
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3,599En existencias
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Máx.: 225

Vishay Semiconductors SCR NEW INPUT THYRISTOR - SUPER-248
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940En existencias
Min.: 1
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Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
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23,257En existencias
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
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207En existencias
1,200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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2,356En existencias
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Bourns Diodos Schottky de SiC 1200V each 10A High Surge Dual SiC diode in TO247-3
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2,918En existencias
Min.: 1
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Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC
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886En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC
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512En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
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5,921En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC 20MW 1200V
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865En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
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639En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V
Hoja de datos
4,517En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 30A 450V 250W NPN
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6,873En existencias
Min.: 1
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Máx.: 30

Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
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1,098En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3
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244En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds
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3,458En existencias
Min.: 1
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ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Hoja de datos
1,034En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 650V TO247
Hoja de datos
827En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet
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7,650En existencias
Min.: 1
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Máx.: 450


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
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1,138En existencias
Min.: 1
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IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
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1,352En existencias
Min.: 1
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IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
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1,403En existencias
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET2 800V
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1,472En existencias
Min.: 1
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IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT
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1,050En existencias
30Se espera el 29/09/2026
Min.: 1
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onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650V 75A 27.4mOhm
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1,256En existencias
Min.: 1
Mult.: 1