TO-247-3 Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V
Hoja de datos
9,611En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Littelfuse Rectificadores y diodos Schottky 2x 20A 100V Rectifier
Hoja de datos
7,662En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
7,800En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
Hoja de datos
1,138En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS IGBTs TO247 1200V 85A XPT
Hoja de datos
1,352En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
Hoja de datos
1,403En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 8A RDL POWER SIC
Hoja de datos
886En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 600V
Hoja de datos
4,628En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 30A 450V 250W NPN
Hoja de datos
4,601En existencias
2,340Se espera el 29/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60


Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
Hoja de datos
902En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 23A N-CH MOSFET
Hoja de datos
6,884En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWERNEW
Hoja de datos
716En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC
Hoja de datos
672En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY
Hoja de datos
804En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 25A 60V 125W PNP
Hoja de datos
1,048En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60


onsemi Diodos Schottky de SiC 1200V SiC SBD 30A
Hoja de datos
511En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
490En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Vishay Semiconductors Rectificadores y diodos Schottky 80A 100V
Hoja de datos
1,015En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
Hoja de datos
1,363En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi IGBTs IGBT 1200V 75A UFS
Hoja de datos
399En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 500V 14A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2,032En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000

IXYS IGBTs 650V, 100A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-247AD
Hoja de datos
70En existencias
300Se espera el 27/01/2027
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds
Hoja de datos
240En existencias
300Se espera el 15/02/2027
Min.: 1
Mult.: 1


Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 900V
Hoja de datos
570En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET
Hoja de datos
303En existencias
Min.: 1
Mult.: 1