TO-247-3 Semiconductores

Tipos de Semiconductores
Cambiar Vista por categorías
Resultados: 2,152
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET5 FAST 41MOHM TO-247-3
Hoja de datos
524En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
1,722En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Hoja de datos
509En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO247
Hoja de datos
680En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 183A N-CH MOSFET
Hoja de datos
594En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
Hoja de datos
438En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-3
Hoja de datos
1,142En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/35MOSICJFETG3TO
Hoja de datos
533En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30


Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS 7 1000 V 780 mOhm TO-247
Hoja de datos
105En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS 5 800 V 560 mOhm TO-247
Hoja de datos
142En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
Hoja de datos
63En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Rectificadores y diodos Schottky 2X15 Amp 60 Volt
Hoja de datos
1,805En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag
Hoja de datos
672En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
Hoja de datos
914En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
Hoja de datos
565En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 7.2 Amp
Hoja de datos
574En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect
Hoja de datos
599En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead
Hoja de datos
478En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 23 mOhm
Hoja de datos
885En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V N-Channel MOSFET
Hoja de datos
366En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
Hoja de datos
761En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Rectificadores 1200V 2X26A
Hoja de datos
320En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
Hoja de datos
199En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
906En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 600V 30A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1,680En existencias
Min.: 1
Mult.: 1