|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
- RD3L04BBLHRBTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.03
-
2,180En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
755-RD3L04BBLHRBTL
Nuevo producto
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 60V 40A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
|
|
2,180En existencias
|
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|
$2.03
|
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$1.30
|
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$0.87
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$0.69
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$0.568
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Ver
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$0.631
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$0.561
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET
- RD3N01BATTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.83
-
2,490En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
755-RD3N01BATTL1
Nuevo producto
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pch -80V -10A TO-252, Power MOSFET
|
|
2,490En existencias
|
|
|
$1.83
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|
$1.17
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$0.779
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$0.615
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$0.503
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Ver
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$0.562
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$0.487
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 4.5A
- RD3N045ATTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.63
-
2,380En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
755-RD3N045ATTL1
Nuevo producto
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 P-CH 80V 4.5A
|
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2,380En existencias
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$1.63
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$1.04
|
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$0.688
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$0.54
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$0.44
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|
Ver
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$0.492
|
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$0.418
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|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 36A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
- RD3P04BBKHRBTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.05
-
2,184En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
755-RD3P04BBKHRBTL
Nuevo producto
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 36A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
|
|
2,184En existencias
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.31
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$0.881
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$0.698
|
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$0.575
|
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Ver
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$0.64
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$0.569
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
- GANE240-700BBAZ
- Nexperia
-
1:
$3.52
-
2,488En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
771-GANE240-700BBAZ
Nuevo producto
|
Nexperia
|
GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
|
|
2,488En existencias
|
|
|
$3.52
|
|
|
$2.29
|
|
|
$1.64
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|
|
$1.37
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$1.21
|
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Ver
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$1.30
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$1.15
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$1.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Reguladores de tensión LDO Automotive 450-mA of f-battery (42V) low
- TL720M05GQKVURQ1M3
- Texas Instruments
-
1:
$3.04
-
2,426En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-TL720M05GQKVUQ1M
|
Texas Instruments
|
Reguladores de tensión LDO Automotive 450-mA of f-battery (42V) low
|
|
2,426En existencias
|
|
|
$3.04
|
|
|
$2.28
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.87
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.66
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|
$1.77
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$1.74
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$1.66
|
|
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$1.66
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,001
:
2,500
|
|
|
|
|
Reguladores de tensión LDO Automotive 450-mA of f-battery (42V) low
- TL720M05QKVURQ1M3
- Texas Instruments
-
1:
$3.04
-
2,479En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
595-TL720M05QKVURQ1M
|
Texas Instruments
|
Reguladores de tensión LDO Automotive 450-mA of f-battery (42V) low
|
|
2,479En existencias
|
|
|
$3.04
|
|
|
$2.28
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.87
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|
Ver
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.77
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$1.74
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|
$1.66
|
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$1.66
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|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,001
:
2,500
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
- DSC08C065D1-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$2.43
-
2,495En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DSC08C065D1-13
|
Diodes Incorporated
|
Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
|
|
2,495En existencias
|
|
|
$2.43
|
|
|
$1.56
|
|
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$1.07
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|
|
$0.853
|
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|
$0.826
|
|
|
$0.783
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
- DSC10A065D1-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$3.44
-
2,229En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DSC10A065D1-13
|
Diodes Incorporated
|
Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
|
|
2,229En existencias
|
|
|
$3.44
|
|
|
$2.23
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
- DSC10C065D1-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$3.30
-
2,500En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DSC10C065D1-13
|
Diodes Incorporated
|
Diodos Schottky de SiC SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
|
|
2,500En existencias
|
|
|
$3.30
|
|
|
$1.92
|
|
|
$1.47
|
|
|
$0.988
|
|
|
$0.956
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC 650V 8A High Surge SiC diode in TO252
- BSDD08G65E2
- Bourns
-
1:
$3.75
-
4,945En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
652-BSDD08G65E2
|
Bourns
|
Diodos Schottky de SiC 650V 8A High Surge SiC diode in TO252
|
|
4,945En existencias
|
|
|
$3.75
|
|
|
$2.45
|
|
|
$1.72
|
|
|
$1.40
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.31
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.31
|
|
|
$1.31
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A SM SCHOTTKY
- BSDD10S65E6
- Bourns
-
1:
$4.94
-
4,965En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
652-BSDD10S65E6
|
Bourns
|
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A SM SCHOTTKY
|
|
4,965En existencias
|
|
|
$4.94
|
|
|
$3.27
|
|
|
$2.32
|
|
|
$1.99
|
|
|
$1.88
|
|
|
$1.88
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP, TO-252 (DPAK), -120V -3A, Power Transistor for Automotive
- 2SAR587D3FRATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.59
-
4,583En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-2SAR587D3FRATL
|
ROHM Semiconductor
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP, TO-252 (DPAK), -120V -3A, Power Transistor for Automotive
|
|
4,583En existencias
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.667
|
|
|
$0.523
|
|
|
$0.476
|
|
|
$0.425
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
- R6010YND3TL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.92
-
2,415En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6010YND3TL1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
|
|
2,415En existencias
|
|
|
$2.92
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.30
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.987
|
|
|
$0.928
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 42A N-CH MOSFET
- R6014YND3TL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$3.97
-
4,936En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6014YND3TL1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 42A N-CH MOSFET
|
|
4,936En existencias
|
|
|
$3.97
|
|
|
$2.60
|
|
|
$1.82
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
- R6502END3TL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$1.79
-
3,457En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6502END3TL1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
|
|
3,457En existencias
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.758
|
|
|
$0.597
|
|
|
$0.504
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.545
|
|
|
$0.47
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
- RD3G08CBKHRBTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.89
-
2,272En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RD3G08CBKHRBTL
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
|
|
2,272En existencias
|
|
|
$2.89
|
|
|
$1.87
|
|
|
$1.29
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.973
|
|
|
$0.915
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
- RD3G08CBLHRBTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.85
-
2,480En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RD3G08CBLHRBTL
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
|
|
2,480En existencias
|
|
|
$2.85
|
|
|
$1.85
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.955
|
|
|
$0.897
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
- RD3P02BATTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.28
-
2,467En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RD3P02BATTL1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -20A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
|
|
2,467En existencias
|
|
|
$2.28
|
|
|
$1.46
|
|
|
$0.99
|
|
|
$0.789
|
|
|
$0.724
|
|
|
$0.66
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 35A N-CH MOSFET
- RD3P03BBHTL1
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.54
-
3,796En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RD3P03BBHTL1
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 100V 35A N-CH MOSFET
|
|
3,796En existencias
|
|
|
$2.54
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.892
|
|
|
$0.815
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.848
|
|
|
$0.766
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
- RD3P06BBKHRBTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.49
-
2,705En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-RD3P06BBKHRBTL
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch 100V 59A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
|
|
2,705En existencias
|
|
|
$2.49
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.87
|
|
|
$0.80
|
|
|
$0.743
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
- YQ20BGE10SDTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$2.10
-
4,797En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-YQ20BGE10SDTL
|
ROHM Semiconductor
|
Rectificadores y diodos Schottky Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
|
|
4,797En existencias
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.34
|
|
|
$0.899
|
|
|
$0.718
|
|
|
$0.609
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.653
|
|
|
$0.58
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Reguladores de tensión LDO VOLTAGE REGULATOR
- LD1086DT50TR
- STMicroelectronics
-
1:
$1.63
-
21,275En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-LD1086DT50TR
|
STMicroelectronics
|
Reguladores de tensión LDO VOLTAGE REGULATOR
|
|
21,275En existencias
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.20
|
|
|
$1.09
|
|
|
$0.963
|
|
|
$0.808
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.905
|
|
|
$0.871
|
|
|
$0.864
|
|
|
$0.803
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Reguladores de tensión lineal 1.2-37V Adj Positive
- LM317MDT-TR
- STMicroelectronics
-
1:
$0.51
-
73,366En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-LM317MDT-TR
|
STMicroelectronics
|
Reguladores de tensión lineal 1.2-37V Adj Positive
|
|
73,366En existencias
|
|
|
$0.51
|
|
|
$0.36
|
|
|
$0.32
|
|
|
$0.286
|
|
|
$0.224
|
|
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Ver
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Min.: 1
Mult.: 1
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2,500
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Reguladores de tensión LDO 500mA 2uF 75dB 3.3V 3.3V 45uVrms 0.18V
- NJM2835DL1-33-TE1
- Nisshinbo
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1:
$1.46
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2,863En existencias
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N.º de artículo de Mouser
513-NJM2835DL133TE1
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Nisshinbo
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Reguladores de tensión LDO 500mA 2uF 75dB 3.3V 3.3V 45uVrms 0.18V
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2,863En existencias
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$1.46
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$1.07
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$0.968
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$0.721
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Min.: 1
Mult.: 1
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3,000
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