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Amplificador de RF 47 dB Gain High Power GaN Amplifier at 50 Watt Psat Operating from 700 MHz to 2.7 GH with SMA
- FMAM5115
- Fairview Microwave
-
1:
$12,352.51
-
1Existencias en fábrica disponibles
-
Nuevo en Mouser
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N.º de artículo de Mouser
67-FMAM5115
Nuevo en Mouser
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Fairview Microwave
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Amplificador de RF 47 dB Gain High Power GaN Amplifier at 50 Watt Psat Operating from 700 MHz to 2.7 GH with SMA
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1Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 1
Mult.: 1
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Amplificador de RF 50 dB Gain High Power GaN Amplifier at 100 Watt Psat Operating from 700 MHz to 2.7 GHz with SMA
- FMAM5116
- Fairview Microwave
-
1:
$31,324.75
-
1Existencias en fábrica disponibles
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N.º de artículo de Mouser
67-FMAM5116
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Fairview Microwave
|
Amplificador de RF 50 dB Gain High Power GaN Amplifier at 100 Watt Psat Operating from 700 MHz to 2.7 GHz with SMA
|
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1Existencias en fábrica disponibles
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Min.: 1
Mult.: 1
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Amplificador de RF 47 dB Gain High Power GaN Amplifier at 50 Watt Psat Operating from 1 GHz to 3 GHz with SMA
- FMAM5118
- Fairview Microwave
-
1:
$12,352.51
-
1Existencias en fábrica disponibles
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
67-FMAM5118
Nuevo en Mouser
|
Fairview Microwave
|
Amplificador de RF 47 dB Gain High Power GaN Amplifier at 50 Watt Psat Operating from 1 GHz to 3 GHz with SMA
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|
1Existencias en fábrica disponibles
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|
Min.: 1
Mult.: 1
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Amplificador de RF 43 dB Gain High Power GaN Amplifier at 20 Watt Psat Operating from 2 GHz to 4 GHz with SMA
- FMAM5119
- Fairview Microwave
-
1:
$9,439.36
-
1Existencias en fábrica disponibles
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
67-FMAM5119
Nuevo en Mouser
|
Fairview Microwave
|
Amplificador de RF 43 dB Gain High Power GaN Amplifier at 20 Watt Psat Operating from 2 GHz to 4 GHz with SMA
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|
1Existencias en fábrica disponibles
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|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Amplificador de RF 40 dB Gain High Power GaN Amplifier at 10 Watt Psat Operating from 2 GHz to 6 GHz with SMA
- FMAM5120
- Fairview Microwave
-
1:
$12,352.51
-
1Existencias en fábrica disponibles
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
67-FMAM5120
Nuevo en Mouser
|
Fairview Microwave
|
Amplificador de RF 40 dB Gain High Power GaN Amplifier at 10 Watt Psat Operating from 2 GHz to 6 GHz with SMA
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|
1Existencias en fábrica disponibles
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
|
Amplificador de RF 47 dB Gain High Power GaN Amplifier at 50 Watt Psat Operating from 2 GHz to 6 GHz with SMA
- FMAM5121
- Fairview Microwave
-
1:
$26,295.83
-
1Existencias en fábrica disponibles
|
N.º de artículo de Mouser
67-FMAM5121
|
Fairview Microwave
|
Amplificador de RF 47 dB Gain High Power GaN Amplifier at 50 Watt Psat Operating from 2 GHz to 6 GHz with SMA
|
|
1Existencias en fábrica disponibles
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
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|
Amplificador de RF 4.4 GHz to 5.1 GHz, SMA, GaN Bi-Directional Amplifier, C-Band, 10W Psat, 10dB Tx Gain, 20% Efficiency, 2 microsec speed, Manual T/R Control
- FM15B5005
- Fairview Microwave
-
1:
$14,788.11
-
Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
67-FM15B5005
|
Fairview Microwave
|
Amplificador de RF 4.4 GHz to 5.1 GHz, SMA, GaN Bi-Directional Amplifier, C-Band, 10W Psat, 10dB Tx Gain, 20% Efficiency, 2 microsec speed, Manual T/R Control
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Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
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GaN FETs GANE011-080CBA/SOT8134/WLCSP9
- GANE011-080CBAZ
- Nexperia
-
2,500:
$0.964
-
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
771-GANE011-080CBAZ
Nuevo producto
|
Nexperia
|
GaN FETs GANE011-080CBA/SOT8134/WLCSP9
|
|
Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
|
|
Min.: 2,500
Mult.: 2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
- RBA80N10EANS-4UA07#HB0
- Renesas Electronics
-
5,000:
$0.605
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
968-0N10EANS4UA07HB0
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 21mohm 3x3pkg
- RBA20N10EANS-5UA21#HB0
- Renesas Electronics
-
3,000:
$0.395
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
968-0N10EANS5UA21HB0
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 100V 21mohm 3x3pkg
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
|
$0.395
|
|
|
$0.392
|
|
|
$0.386
|
|
|
$0.372
|
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
- RBA190N15YANS-3UA04#GB0
- Renesas Electronics
-
2,000:
$2.72
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
968-0N15YANS3UA04GB0
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
- RBA190N15YAPF-6UA04#KB0
- Renesas Electronics
-
1,300:
$3.43
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
968-0N15YAPF6UA04KB0
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Auto. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
Min.: 1,300
Mult.: 1,300
:
1,300
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg
- RBE037N10R1SZN6#HB0
- Renesas Electronics
-
1:
$2.88
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
968-E037N10R1SZN6HB0
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 3.7mohm 5x6pkg
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
|
$2.88
|
|
|
$1.85
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.07
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.853
|
|
|
$0.944
|
|
|
$0.893
|
|
|
$0.853
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
- RBE039N15R1SZPW#KB0
- Renesas Electronics
-
1,300:
$3.36
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
968-E039N15R1SZPWKB0
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLT
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
Min.: 1,300
Mult.: 1,300
:
1,300
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
- RBE039N15R1SZQ4#GB0
- Renesas Electronics
-
2,000:
$2.70
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
968-E039N15R1SZQ4GB0
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 150V 3.9mohm TOLL
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
- RBE067N10R1SZN6#HB0
- Renesas Electronics
-
5,000:
$0.598
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
968-E067N10R1SZN6HB0
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Ind. MOS REXFET-1 100V 6.7mohm 5x6pkg
|
|
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
|
|
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
:
5,000
|
|
|
|
|
Amplificador de RF SMT MMIC, Low Noise, Linear, pHEMT Amplifier, 500 MHz to 2500 MHz, 50ohm
- VNA-28B+
- Mini-Circuits
-
1:
$8.14
-
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
139-VNA-28B
Nuevo en Mouser
|
Mini-Circuits
|
Amplificador de RF SMT MMIC, Low Noise, Linear, pHEMT Amplifier, 500 MHz to 2500 MHz, 50ohm
|
|
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
|
|
|
$8.14
|
|
|
$7.81
|
|
|
$7.48
|
|
|
$7.17
|
|
|
$7.17
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
|
|
Amplificador de RF High Power Amplifier, 20 - 500 MHz, 50 Ohm
- ZHL-50W-GAN+
- Mini-Circuits
-
1:
$4,820.30
-
Plazo de entrega 17 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
139-ZHL-50W-GAN+
|
Mini-Circuits
|
Amplificador de RF High Power Amplifier, 20 - 500 MHz, 50 Ohm
|
|
Plazo de entrega 17 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Amplificador de RF 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifier
- CMX90A705A6-R705
- CML Micro
-
500:
$63.59
-
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
226-CMX90A705A6-R705
Nuevo producto
|
CML Micro
|
Amplificador de RF 5.5W Ka-Band GaN Power Amplifier
|
|
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
:
500
|
|
|
|
|
GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP
- TP70H135G4PJSGB-TR
- Renesas Electronics
-
5,000:
$1.16
-
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
227-P70H135G4PJSGBTR
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 5x6 PQFN IP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
|
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
:
5,000
|
|
|
|
|
GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP
- TP70H135G4PLSGB-TR
- Renesas Electronics
-
3,000:
$1.21
-
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
227-P70H135G4PLSGBTR
Nuevo producto
|
Renesas Electronics
|
GaN FETs 700V, 135mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP
|
|
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
- TP65H035G4YS
- Renesas Electronics
-
1,200:
$5.71
-
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
227-TP65H035G4YS
|
Renesas Electronics
|
GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
|
|
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
|
Min.: 1,200
Mult.: 600
|
|
|
|
|
GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
- TP65H050G4QS-TR
- Renesas Electronics
-
2,000:
$4.22
-
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
227-TP65H050G4QS-TR
|
Renesas Electronics
|
GaN FETs 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
|
|
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
|
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
- TP65H070G4QS-TR
- Renesas Electronics
-
2,000:
$3.00
-
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
227-TP65H070G4QS-TR
|
Renesas Electronics
|
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
|
|
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
|
Min.: 2,000
Mult.: 2,000
:
2,000
|
|
|
|
|
GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
- TP65H100G4LSGB-TR
- Renesas Electronics
-
3,000:
$2.41
-
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
227-TP65H100G4LSGBTR
|
Renesas Electronics
|
GaN FETs 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
|
|
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
|
|
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
:
3,000
|
|
|
