|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
- UF28150J
- MACOM
-
1:
$608.40
-
20En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
937-UF28150J
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
|
|
20En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
CML Micro MWT-PH27F71
- MWT-PH27F71
- CML Micro
-
1:
$56.04
-
1En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH27F71
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
|
|
1En existencias
|
|
|
$56.04
|
|
|
$56.04
|
|
|
$48.51
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
10
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA030121EA-V1-R0
- MACOM
-
1:
$48.82
-
39En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA030121EA1R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
39En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
- RF5L08350CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$175.84
-
110En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L08350CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
110En existencias
|
|
|
$175.84
|
|
|
$140.30
|
|
|
$140.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
120
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
- BLF981SU
- Ampleon
-
1:
$138.06
-
55En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLF981SU
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981S/SOT467/TRAY
|
|
55En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY
- BLF981U
- Ampleon
-
1:
$134.82
-
26En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo del Fabricante
BLF981U
N.º de artículo de Mouser
94-BLF981U
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLF981/SOT467/TRAY
|
|
26En existencias
|
|
|
$134.82
|
|
|
$113.76
|
|
|
$105.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
- BLP981XY
- Ampleon
-
1:
$64.23
-
43En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLP981XY
Nuevo producto
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP981/TO270/REEL
|
|
43En existencias
|
|
|
$64.23
|
|
|
$53.09
|
|
|
$50.31
|
|
|
$49.16
|
|
|
$47.55
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
|
|
|
GaN FETs CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL
- CLP24H4S30PXY
- Ampleon
-
1:
$77.83
-
82En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
94-CLP24H4S30PXY
Nuevo producto
|
Ampleon
|
GaN FETs CLP24H4S30P/DFN-6.5X7/REEL
|
|
82En existencias
|
|
|
$77.83
|
|
|
$64.69
|
|
|
$61.37
|
|
|
$59.56
|
|
|
$58.64
|
|
|
Ver
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L16180CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$175.84
-
20En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
20En existencias
|
|
|
$175.84
|
|
|
$140.30
|
|
|
$140.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
120
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
- RF5L15120CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$196.49
-
18En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF5L15120CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz
|
|
18En existencias
|
|
|
$196.49
|
|
|
$157.84
|
|
|
$157.84
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
- AFT05MS004NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$5.40
-
19,716En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS004NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
|
|
19,716En existencias
|
|
|
$5.40
|
|
|
$3.52
|
|
|
$3.09
|
|
|
$2.92
|
|
|
$2.17
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.51
|
|
|
$2.31
|
|
|
$2.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD57030-E
- STMicroelectronics
-
1:
$49.87
-
511En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD57030-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
511En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
- SD2931-10W
- STMicroelectronics
-
1:
$93.64
-
719En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2931-10W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
|
|
719En existencias
|
|
|
$93.64
|
|
|
$74.39
|
|
|
$70.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
- SD2932W
- STMicroelectronics
-
1:
$202.66
-
89En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
SD2932W
N.º de artículo de Mouser
511-SD2932W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch MOS HF/VHF/ RF 300W 15dB 175MHz
|
|
89En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN
- TGF2929-FL
- Qorvo
-
1:
$691.85
-
63En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
772-TGF2929-FL
|
Qorvo
|
GaN FETs DC-3.5GHz 100W 28V GaN
|
|
63En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$44.45
-
887En existencias
-
2,000En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101AN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
887En existencias
2,000En pedido
|
|
|
$44.45
|
|
|
$36.32
|
|
|
$35.40
|
|
|
$31.78
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300AN
- NXP Semiconductors
-
1:
$87.52
-
435En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300AN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
435En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
- AFM907NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$6.55
-
10,000En existencias
-
7,000Se espera el 29/07/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFM907NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
|
|
10,000En existencias
7,000Se espera el 29/07/2026
|
|
|
$6.55
|
|
|
$4.29
|
|
|
$3.64
|
|
|
$3.38
|
|
|
$2.68
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.16
|
|
|
$2.97
|
|
|
$2.81
|
|
|
$2.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
- AFT05MP075NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$45.56
-
522En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MP075NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
|
|
522En existencias
|
|
|
$45.56
|
|
|
$37.07
|
|
|
$34.79
|
|
|
$34.32
|
|
|
Ver
|
|
|
$30.85
|
|
|
$32.55
|
|
|
$32.20
|
|
|
$30.85
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
- AFT05MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$23.65
-
2,103En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031GNR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
|
|
2,103En existencias
|
|
|
$23.65
|
|
|
$18.93
|
|
|
$17.56
|
|
|
$16.94
|
|
|
Ver
|
|
|
$15.50
|
|
|
$16.37
|
|
|
$15.92
|
|
|
$15.50
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
- MRF1K50HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$409.67
-
64En existencias
-
100Se espera el 12/10/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
|
|
64En existencias
100Se espera el 12/10/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
- MRF1K50NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$357.70
-
28En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF1K50NR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
|
|
28En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V
- MRFE6VP61K25HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
$435.54
-
83En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VP61K25HR5
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V
|
|
83En existencias
|
|
|
$435.54
|
|
|
$376.50
|
|
|
$361.78
|
|
|
$352.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
- ARF460AG
- Microchip Technology
-
1:
$56.66
-
82En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF460AG
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
|
|
82En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
- ARF463AP1G
- Microchip Technology
-
1:
$45.03
-
392En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF463AP1G
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
|
|
392En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|