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Resultados: 63,221
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWM PFC COMBO 13,258En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800
: 800

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET 10,934En existencias
Min.: 1
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Máx.: 120
: 2,000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Channel PowerTrench MOSFET 26,572En existencias
Min.: 1
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Máx.: 70
: 2,500

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NCh 80V 120A 5.3mOhm PowerTrench MOSFET 8,479En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V N-Ch Dual Cool PowerTrench MOSFET 35,235En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 400
: 3,000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A 168,815En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 11,086En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100

onsemi Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial 6,176En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

onsemi IGBTs 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT 6,071En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40
: 800

Texas Instruments System on a Chip (SoC) RF IC RF ZigBee 802.15. 4 SoC 2.4Ghz A 595- A 595-CC2530F256RHAR 11,789En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Texas Instruments Conversores CA/DC Mil Enh BICMOS Low- pwr Cur-Mode PWM 7,075En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL SOT-523 1,505,881En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated Rectificadores y diodos Schottky 12A SBR PowerDI 45Vrrm 12A 0.38Vf 38,242En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS 48,843En existencias
Min.: 1
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Máx.: 5,000
: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER 69,013En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V 5,130En existencias
400En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS IGBTs BIMOSFET 1700V 75A 3,209En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Módulos MOSFET MBLOC 150V 400A N-CH X3CLASS 557En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS IGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds 1,215En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4500V 200mA HV Power MOSFET 412En existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds 3,458En existencias
Min.: 1
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 2.5KV 3A N-CH LINEAR 243En existencias
Min.: 1
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IXYS IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT 650En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Módulos de Diodos 500 Amps 2200V 143En existencias
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Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR PD=132W 24,500En existencias
25,000Se espera el 16/10/2026
Min.: 1
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: 5,000