|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
- SD2941-10W
- STMicroelectronics
-
1:
$89.26
-
19En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SD2941-10W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
|
|
19En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp
- SD57045
- STMicroelectronics
-
1:
$103.01
-
3En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
SD57045
N.º de artículo de Mouser
511-SD57045
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) N-Ch 65 Volt 5 Amp
|
|
3En existencias
|
|
|
$103.01
|
|
|
$85.59
|
|
|
$77.53
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
- MRF134
- MACOM
-
1:
$99.47
-
5En existencias
-
360En pedido
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF134
N.º de artículo de Mouser
937-MRF134
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB
|
|
5En existencias
360En pedido
Existencias:
5 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
120 Se espera el 8/01/2027
240 Se espera el 18/01/2027
Plazo de entrega de fábrica:
28 Semanas
|
|
|
$99.47
|
|
|
$82.74
|
|
|
$81.24
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
- MRF160
- MACOM
-
1:
$111.63
-
5En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF160
N.º de artículo de Mouser
937-MRF160
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB
|
|
5En existencias
|
|
|
$111.63
|
|
|
$93.33
|
|
|
$90.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
- MRF275G
- MACOM
-
1:
$354.25
-
5En existencias
-
40Se espera el 5/02/2027
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF275G
N.º de artículo de Mouser
937-MRF275G
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
|
|
5En existencias
40Se espera el 5/02/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
- UF28100V
- MACOM
-
1:
$359.14
-
14En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
937-UF28100V
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB
|
|
14En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz
- UF2840P
- MACOM
-
1:
$146.55
-
2En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
UF2840P
N.º de artículo de Mouser
937-UF2840P
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz
|
|
2En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
- MWT-PH31F
- CML Micro
-
1:
$31.85
-
20En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH31F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
|
|
20En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
- MWT-PH32F
- CML Micro
-
1:
$38.52
-
9En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH32F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Narrow and Broad Band High Efficiency Amplifier, High Power Amplifier, and Oscillator Applications
|
|
9En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
- MWT-PH33F
- CML Micro
-
10:
$17.33
-
30En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
938-MWT-PH33F
|
CML Micro
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
|
|
30En existencias
|
|
|
$17.33
|
|
|
$17.30
|
|
|
$14.24
|
|
|
$13.36
|
|
|
Ver
|
|
|
$13.20
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 10
Mult.: 10
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC
- BLM7G1822S-40PBGY
- Ampleon
-
1:
$44.78
-
43En existencias
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
94-BLM7G1822S-40PBGY
Nuevo en Mouser
|
Ampleon
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC
|
|
43En existencias
|
|
|
$44.78
|
|
|
$38.73
|
|
|
$36.82
|
|
|
$32.35
|
|
|
$31.77
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTVA120251EA-V2-R0
- MACOM
-
1:
$53.26
-
7En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120251EA2R0
NRND
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
7En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
50
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101BN
- NXP Semiconductors
-
1:
$39.07
-
48En existencias
-
500Se espera el 8/10/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF101BN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
48En existencias
500Se espera el 8/10/2026
|
|
|
$39.07
|
|
|
$31.79
|
|
|
$31.37
|
|
|
$28.88
|
|
|
Ver
|
|
|
$27.98
|
|
|
$26.87
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
No
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
- AFM906NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$3.71
-
49En existencias
-
1,000En pedido
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFM906NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
|
|
49En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$3.71
|
|
|
$2.79
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.31
|
|
|
$2.04
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.19
|
|
|
$2.11
|
|
|
$1.89
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
- AFT05MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
$24.16
-
10En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT05MS031NR1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
|
|
10En existencias
|
|
|
$24.16
|
|
|
$19.34
|
|
|
$17.94
|
|
|
$17.31
|
|
|
Ver
|
|
|
$15.84
|
|
|
$16.73
|
|
|
$16.27
|
|
|
$15.84
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
500
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
- AFT09MS007NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
$7.70
-
20En existencias
-
6,000Se espera el 8/10/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-AFT09MS007NT1
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
|
|
20En existencias
6,000Se espera el 8/10/2026
|
|
|
$7.70
|
|
|
$5.90
|
|
|
$5.09
|
|
|
$4.73
|
|
|
$3.71
|
|
|
Ver
|
|
|
$4.42
|
|
|
$4.16
|
|
|
$3.93
|
|
|
$3.63
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V
- MRF6V10010NR4
- NXP Semiconductors
-
1:
$177.55
-
1En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
841-MRF6V10010NR4
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V
|
|
1En existencias
|
|
|
$177.55
|
|
|
$150.61
|
|
|
$143.52
|
|
|
$141.61
|
|
|
$131.70
|
|
|
Ver
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
100
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
Microchip Technology ARF461BG
- ARF461BG
- Microchip Technology
-
1:
$59.22
-
30En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-ARF461BG
|
Microchip Technology
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
|
|
30En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
onsemi NVJD5121NT1G-M06
- NVJD5121NT1G-M06
- onsemi
-
1:
$0.44
-
16,597En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NVJD5121NT1G-M06
|
onsemi
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) NFET SC88 60V 295MA 1.6OH
|
|
16,597En existencias
|
|
|
$0.44
|
|
|
$0.269
|
|
|
$0.17
|
|
|
$0.127
|
|
|
$0.113
|
|
|
$0.106
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
- PTFC270101M-V1-R1K
- MACOM
-
1:
$29.03
-
1En existencias
-
Pedido especial de fábrica
|
N.º de artículo de Mouser
941-PTFC270101M1RK
Pedido especial de fábrica
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
|
|
1En existencias
|
|
|
$29.03
|
|
|
Ver
|
|
|
$24.79
|
|
|
$24.84
|
|
|
$24.79
|
|
|
$24.79
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
- SD2933W
- STMicroelectronics
-
1:
$126.70
-
1,025En pedido
|
N.º de artículo del Fabricante
SD2933W
N.º de artículo de Mouser
511-SD2933W
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
|
|
1,025En pedido
En pedido:
250 Se espera el 28/05/2027
775 Se espera el 16/07/2027
Plazo de entrega de fábrica:
28 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
- MRF173
- MACOM
-
1:
$151.11
-
150Se espera el 25/12/2026
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF173
N.º de artículo de Mouser
937-MRF173
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
|
|
150Se espera el 25/12/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300BN
- NXP Semiconductors
-
1:
$87.45
-
Plazo de entrega 15 Semanas
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MRF300BN
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
Plazo de entrega 15 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
- MRF171A
- MACOM
-
1:
$143.85
-
50Se espera el 30/07/2026
|
N.º de artículo del Fabricante
MRF171A
N.º de artículo de Mouser
937-MRF171A
|
MACOM
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
|
|
50Se espera el 30/07/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
- MHT1803A
- NXP Semiconductors
-
1:
$39.08
-
238Se espera el 8/10/2026
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
771-MHT1803A
Fin de vida útil
|
NXP Semiconductors
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
|
|
238Se espera el 8/10/2026
|
|
|
$39.08
|
|
|
$31.80
|
|
|
$29.68
|
|
|
$29.20
|
|
|
Ver
|
|
|
$27.78
|
|
|
$25.57
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|