|
|
Rectificadores y diodos Schottky 10A, 45V, Automotive Trench Schottky
- TSAD10M45CH
- Taiwan Semiconductor
-
1:
$1.33
-
3,150En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
821-TSAD10M45CH
Nuevo producto
|
Taiwan Semiconductor
|
Rectificadores y diodos Schottky 10A, 45V, Automotive Trench Schottky
|
|
3,150En existencias
|
|
|
$1.33
|
|
|
$0.82
|
|
|
$0.539
|
|
|
$0.424
|
|
|
$0.293
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.372
|
|
|
$0.328
|
|
|
$0.281
|
|
|
$0.247
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,500
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky 10A, 100V, Automotive Trench Schottky
- TSAD10H100H
- Taiwan Semiconductor
-
1:
$1.23
-
3,150En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
821-TSAD10H100H
Nuevo producto
|
Taiwan Semiconductor
|
Rectificadores y diodos Schottky 10A, 100V, Automotive Trench Schottky
|
|
3,150En existencias
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.876
|
|
|
$0.545
|
|
|
$0.376
|
|
|
$0.245
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.316
|
|
|
$0.284
|
|
|
$0.225
|
|
|
$0.195
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,500
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky 20A, 120V, Automotive Trench Schottky
- TSAD20H120H
- Taiwan Semiconductor
-
1:
$1.54
-
3,137En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
821-TSAD20H120H
Nuevo producto
|
Taiwan Semiconductor
|
Rectificadores y diodos Schottky 20A, 120V, Automotive Trench Schottky
|
|
3,137En existencias
|
|
|
$1.54
|
|
|
$0.762
|
|
|
$0.626
|
|
|
$0.492
|
|
|
$0.331
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.448
|
|
|
$0.381
|
|
|
$0.296
|
|
|
$0.291
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
- IPD50N06S2L13ATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$2.43
-
29,717En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S2L13ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
|
|
29,717En existencias
|
|
|
$2.43
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.847
|
|
|
$0.674
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.778
|
|
|
$0.657
|
|
|
$0.648
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
- IPD30N06S2L23ATMA3
- Infineon Technologies
-
1:
$1.90
-
56,140En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N06S2L23AT3
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
|
|
56,140En existencias
|
|
|
$1.90
|
|
|
$0.97
|
|
|
$0.808
|
|
|
$0.677
|
|
|
$0.619
|
|
|
$0.531
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
- IPB120N10S405ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.15
-
14,096En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N10S405ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
|
|
14,096En existencias
|
|
|
$4.15
|
|
|
$2.46
|
|
|
$1.88
|
|
|
$1.62
|
|
|
$1.47
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.33
|
|
|
$1.32
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
- TK1R5R04PB,LXGQ
- Toshiba
-
1:
$3.64
-
14,862En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TK1R5R04PB,LXGQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101
|
|
14,862En existencias
|
|
|
$3.64
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.35
|
|
|
$1.26
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP, SOT-346T, -80V -1.5A, Driver Transistor
- 2SAR554RHZGTL
- ROHM Semiconductor
-
1:
$0.79
-
1,997En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
755-2SAR554RHZGTL
Nuevo producto
|
ROHM Semiconductor
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP, SOT-346T, -80V -1.5A, Driver Transistor
|
|
1,997En existencias
|
|
|
$0.79
|
|
|
$0.488
|
|
|
$0.315
|
|
|
$0.24
|
|
|
$0.184
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.216
|
|
|
$0.169
|
|
|
$0.147
|
|
|
$0.142
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET
- FDBL86062-F085
- onsemi
-
1:
$8.98
-
10,976En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDBL86062_F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET
|
|
10,976En existencias
|
|
|
$8.98
|
|
|
$5.79
|
|
|
$4.96
|
|
|
$4.96
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 120
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
- FDN5632N-F085
- onsemi
-
1:
$1.11
-
172,224En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDN5632N-F085
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trans MOS N-Ch 60V 1.7A
|
|
172,224En existencias
|
|
|
$1.11
|
|
|
$0.514
|
|
|
$0.455
|
|
|
$0.352
|
|
|
$0.332
|
|
|
$0.249
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
IGBTs 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT
- ISL9V5045S3ST-F085
- onsemi
-
1:
$6.10
-
6,071En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-ISL9V5045S3STF85
|
onsemi
|
IGBTs 500mJ, 450V EcoSPARK N-Chan Ignition IGBT
|
|
6,071En existencias
|
|
|
$6.10
|
|
|
$4.08
|
|
|
$4.08
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40
:
800
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
- SQ4961EY-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.34
-
24,707En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQ4961EY-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
|
|
24,707En existencias
|
|
|
$2.34
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.811
|
|
|
$0.716
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.786
|
|
|
$0.689
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
- SQD50P04-09L_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$4.17
-
21,665En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQD50P04-09L_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
|
|
21,665En existencias
|
|
|
$4.17
|
|
|
$2.12
|
|
|
$1.92
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified
- SQD97N06-6M3L_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.56
-
60,448En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQD97N06-6M3L_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified
|
|
60,448En existencias
|
|
|
$2.56
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.897
|
|
|
$0.873
|
|
|
$0.778
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQJ403EP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.46
-
21,440En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJ403EP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
21,440En existencias
|
|
|
$2.46
|
|
|
$1.20
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.858
|
|
|
$0.766
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.831
|
|
|
$0.737
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQJA70EP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$1.30
-
60,928En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJA70EP-T1_GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
60,928En existencias
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.606
|
|
|
$0.538
|
|
|
$0.418
|
|
|
$0.363
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.408
|
|
|
$0.337
|
|
|
$0.311
|
|
|
$0.306
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
- SQJQ100E-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$4.30
-
13,785En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQJQ100E-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 160A Id AEC-Q101 Qualified
|
|
13,785En existencias
|
|
|
$4.30
|
|
|
$2.19
|
|
|
$1.99
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.58
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
- SQS460ENW-T1_GE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.96
-
30,481En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SQS460ENW-T1_GE3
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
30,481En existencias
|
|
|
$1.96
|
|
|
$0.937
|
|
|
$0.837
|
|
|
$0.662
|
|
|
$0.643
|
|
|
$0.539
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
- IAUTN06S5N008GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.21
-
1,589En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN06S5N008GAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)
|
|
1,589En existencias
|
|
|
$7.21
|
|
|
$4.50
|
|
|
$3.53
|
|
|
$3.34
|
|
|
$3.13
|
|
|
$2.73
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
- STPST5H100SBY-TR
- STMicroelectronics
-
1:
$1.17
-
9,415En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STPST5H100SBY-TR
|
STMicroelectronics
|
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 5 A, Power Schottky Trench Rectifier
|
|
9,415En existencias
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.641
|
|
|
$0.554
|
|
|
$0.443
|
|
|
$0.346
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.413
|
|
|
$0.324
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
- STPST8H100SFY
- STMicroelectronics
-
1:
$1.16
-
5,542En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STPST8H100SFY
|
STMicroelectronics
|
Rectificadores y diodos Schottky Automotive 100 V, 8 A Power Schottky Trench Rectifier
|
|
5,542En existencias
|
|
|
$1.16
|
|
|
$0.63
|
|
|
$0.528
|
|
|
$0.431
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.317
|
|
|
$0.397
|
|
|
$0.383
|
|
|
$0.317
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
6,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
- SSM6J808R,LF
- Toshiba
-
1:
$0.97
-
23,897En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-SSM6J808RLF
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
|
|
23,897En existencias
|
|
|
$0.97
|
|
|
$0.605
|
|
|
$0.393
|
|
|
$0.302
|
|
|
$0.235
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.273
|
|
|
$0.216
|
|
|
$0.193
|
|
|
$0.185
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
- IPD35N12S3L24ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.44
-
22,223En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD35N12S3L24AT
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100+
|
|
22,223En existencias
|
|
|
$2.44
|
|
|
$1.19
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.849
|
|
|
$0.80
|
|
|
$0.727
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
- TJ8S06M3L,LXHQ
- Toshiba
-
1:
$1.44
-
44,764En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TJ8S06M3L,LXHQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
|
|
44,764En existencias
|
|
|
$1.44
|
|
|
$0.674
|
|
|
$0.599
|
|
|
$0.468
|
|
|
$0.402
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.46
|
|
|
$0.356
|
|
|
$0.35
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
- SQJ464EP-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
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1:
$1.64
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76,041En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-SQJ464EP-T1_GE3
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Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
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76,041En existencias
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$1.64
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