|
|
Interfaz IC RS-232 Transcvr 3Drvr/5Rcvr
- ST3241ECPR
- STMicroelectronics
-
1:
$3.22
-
3,227En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST3241ECP
|
STMicroelectronics
|
Interfaz IC RS-232 Transcvr 3Drvr/5Rcvr
|
|
3,227En existencias
|
|
|
$3.22
|
|
|
$2.97
|
|
|
$2.72
|
|
|
$2.46
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.88
|
|
|
$2.33
|
|
|
$2.32
|
|
|
$1.88
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,350
|
|
|
|
|
Reguladores de tensión LDO 300mA, 28 V low-dropout voltage regulator, with 5uAA quiescent current
- ST732M50R
- STMicroelectronics
-
1:
$0.90
-
5,088En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST732M50R
|
STMicroelectronics
|
Reguladores de tensión LDO 300mA, 28 V low-dropout voltage regulator, with 5uAA quiescent current
|
|
5,088En existencias
|
|
|
$0.90
|
|
|
$0.638
|
|
|
$0.558
|
|
|
$0.508
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.358
|
|
|
$0.474
|
|
|
$0.453
|
|
|
$0.437
|
|
|
$0.358
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Administración de baterías Li-Ion linear battery charger with LDO and load switches
- STBC03JR
- STMicroelectronics
-
1:
$3.74
-
3,928En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STBC03JR
|
STMicroelectronics
|
Administración de baterías Li-Ion linear battery charger with LDO and load switches
|
|
3,928En existencias
|
|
|
$3.74
|
|
|
$2.82
|
|
|
$2.59
|
|
|
$2.34
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.87
|
|
|
$2.22
|
|
|
$2.20
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Circuitos de supervisión Overvolt Protection Thermal Shutdown
- STBP120CVDK6F
- STMicroelectronics
-
1:
$1.38
-
2,543En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STBP120CVDK6F
|
STMicroelectronics
|
Circuitos de supervisión Overvolt Protection Thermal Shutdown
|
|
2,543En existencias
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.921
|
|
|
$0.814
|
|
|
$0.679
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.763
|
|
|
$0.742
|
|
|
$0.724
|
|
|
$0.663
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
- STD16N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.19
-
5,813En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD16N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 280 mOhm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
5,813En existencias
|
|
|
$2.19
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.801
|
|
|
$0.694
|
|
|
$0.585
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.653
|
|
|
$0.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH
- STD3NK50ZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$2.30
-
6,233En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD3NK50Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH
|
|
6,233En existencias
|
|
|
$2.30
|
|
|
$1.44
|
|
|
$0.952
|
|
|
$0.755
|
|
|
$0.613
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.671
|
|
|
$0.59
|
|
|
$0.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 46 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
- STD46P4LLF6
- STMicroelectronics
-
1:
$2.06
-
3,815En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD46P4LLF6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 46 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
3,815En existencias
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.32
|
|
|
$0.886
|
|
|
$0.703
|
|
|
$0.562
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.659
|
|
|
$0.519
|
|
|
$0.498
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
- STD4N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.58
-
3,505En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD4N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
3,505En existencias
|
|
|
$2.58
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.905
|
|
|
$0.721
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.833
|
|
|
$0.681
|
|
|
$0.678
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Controladores de puertas High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors
- STDRIVEG600TR
- STMicroelectronics
-
1:
$4.57
-
2,321En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STDRIVEG600TR
|
STMicroelectronics
|
Controladores de puertas High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors
|
|
2,321En existencias
|
|
|
$4.57
|
|
|
$3.47
|
|
|
$3.19
|
|
|
$2.89
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.50
|
|
|
$2.75
|
|
|
$2.73
|
|
|
$2.57
|
|
|
$2.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
- STE40NC60
- STMicroelectronics
-
1:
$41.39
-
146En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STE40NC60
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
|
|
146En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Herramientas de desarrollo del sensor de aceleración LSM6DSL adapter board for a standard DIL24 socket
- STEVAL-MKI178V2
- STMicroelectronics
-
1:
$18.18
-
75En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STEVAL-MKI178V2
|
STMicroelectronics
|
Herramientas de desarrollo del sensor de aceleración LSM6DSL adapter board for a standard DIL24 socket
|
|
75En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect
- STF10N95K5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.91
-
1,051En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF10N95K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect
|
|
1,051En existencias
|
|
|
$3.91
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.47
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.29
|
|
|
$1.26
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
- STF11NM80
- STMicroelectronics
-
1:
$7.79
-
861En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM80
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
|
|
861En existencias
|
|
|
$7.79
|
|
|
$4.20
|
|
|
$3.85
|
|
|
$3.24
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.04
|
|
|
$3.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet
- STF15NM65N
- STMicroelectronics
-
1:
$5.90
-
938En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF15NM65N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet
|
|
938En existencias
|
|
|
$5.90
|
|
|
$3.10
|
|
|
$2.89
|
|
|
$2.57
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.19
|
|
|
$2.08
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
- STF23N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$6.52
-
780En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF23N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
|
|
780En existencias
|
|
|
$6.52
|
|
|
$3.45
|
|
|
$3.16
|
|
|
$2.64
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.46
|
|
|
$2.38
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
- STF3LN80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.17
-
3,096En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF3LN80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
|
|
3,096En existencias
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.86
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.777
|
|
|
$0.66
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
- STF40N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$5.60
-
918En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF40N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
|
|
918En existencias
|
|
|
$5.60
|
|
|
$3.75
|
|
|
$3.05
|
|
|
$2.69
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.32
|
|
|
$2.23
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
- STGAP2SICSC
- STMicroelectronics
-
1:
$5.78
-
1,665En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGAP2SICSC
|
STMicroelectronics
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver for SiC MOSFETs
|
|
1,665En existencias
|
|
|
$5.78
|
|
|
$4.41
|
|
|
$3.84
|
|
|
$3.63
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.49
|
|
|
$3.31
|
|
|
$3.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
- STGD7NC60HT4
- STMicroelectronics
-
1:
$3.56
-
2,991En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGD7NC60H
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
|
|
2,991En existencias
|
|
|
$3.56
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.08
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
- STGF7H60DF
- STMicroelectronics
-
1:
$2.08
-
4,862En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGF7H60DF
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
|
|
4,862En existencias
|
|
|
$2.08
|
|
|
$1.31
|
|
|
$0.858
|
|
|
$0.681
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.605
|
|
|
$0.553
|
|
|
$0.487
|
|
|
$0.456
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
- STGIPN3H60A
- STMicroelectronics
-
1:
$9.12
-
466En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGIPN3H60A
|
STMicroelectronics
|
Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
|
|
466En existencias
|
|
|
$9.12
|
|
|
$5.46
|
|
|
$4.67
|
|
|
$4.10
|
|
|
$3.70
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
- STGW75M65DF2
- STMicroelectronics
-
1:
$7.37
-
663En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGW75M65DF2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss
|
|
663En existencias
|
|
|
$7.37
|
|
|
$3.87
|
|
|
$3.31
|
|
|
$3.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
- STH240N10F7-2
- STMicroelectronics
-
1:
$5.29
-
907En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH240N10F7-2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
|
|
907En existencias
|
|
|
$5.29
|
|
|
$3.46
|
|
|
$2.58
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.63
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
- STHU32N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$5.03
-
1,200En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STHU32N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 83 mOhm typ., 37 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
|
|
1,200En existencias
|
|
|
$5.03
|
|
|
$3.54
|
|
|
$3.06
|
|
|
$2.82
|
|
|
$2.77
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
600
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI
- STL12P6F6
- STMicroelectronics
-
1:
$1.45
-
4,656En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL12P6F6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI
|
|
4,656En existencias
|
|
|
$1.45
|
|
|
$0.913
|
|
|
$0.605
|
|
|
$0.491
|
|
|
$0.343
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.439
|
|
|
$0.308
|
|
|
$0.306
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
