SemiQ Featured Products
Dispositivos discretos MOSFET de SiC GEN3 de 1,200 V
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
Módulos de potencia MOSFET de SiC GEN3 de 1,200 V
With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.
Diodo Schottky SiC de 1700 V QSiC™ GP3D050B170B
Disponible en un paquete TO-247-2L diseñado para satisfacer las exigencias de tamaño y potencia para una variedad de aplicaciones.
Módulos de medio puente MOSFET SiC de 1,200 V GCMX
Bajo nivel de pérdidas de conmutación, baja resistencia térmica de unión a carcasa y montaje muy resistente y sencillo.
Módulos de puente completo MOSFET SiC de 1,200 V GCMX
Ideales para inversores fotovoltaicos, sistemas de almacenamiento de energía y convertidores DC-DC de alto voltaje.
GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
Offers reduced switching losses, higher efficiency, and increased power density.
GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.