ALD1106SBL

Name: Advanced Linear Devices ALD1106SBL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD1106SBL
Price: 8.86 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

585-ALD1106SBL

Fabricante N.º:

ALD1106SBL

Fabricante:

Advanced Linear Devices

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Channel Array

Hoja de datos:

ALD1106SBL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Advanced Linear Devices
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-14
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	4 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	12 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4.8 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	350 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	400 mV
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Advanced Linear Devices
Configuración:	Quad
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	ALD1106S
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	4 N-Channel
Peso de la unidad:	338 mg