Transistor metal-&#243;xido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80 V, N-Ch, 3.60 m max, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7), OptiMOS 7

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LHDSO-10

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80 V

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3.2 V

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 1mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

TPM1R408RH,LQ
Toshiba
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TPM1R408RH,LQ

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 1mOhm N-ch MOSFET SOP Advance(E) UMOS -H

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SOP-8

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ461EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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PowerPAK SO-8L-4

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ463EP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
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SQJ463EP-T1_NE3

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78-SQJ463EP-T1_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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PowerPAK SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

40 V

30 A

10 mOhms

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2.5 V

98 nC

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83 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40 V motor-drives optimized power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a PQFN 5x6 Dual Side Cooled package

ISCH75N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
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ISCH75N04NM7VSCATMA1

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WSON-8

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40 V

339 A

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20 V

3.2 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1
Infineon Technologies
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IQEH42NE2LM7ZCGSCATMA1

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726-IQEH42NE2LM7ZCGS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V

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PG-WHTFN-9

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25 V

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12 V

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29 nC

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150 W

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ISCH57N04NM7VSCATMA1
Infineon Technologies
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ISCH57N04NM7VSCATMA1

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726-ISCH57N04NM7VSCA

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WSON-8

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40 V

443 A

520 uOhms

20 V

3.2 V

112 nC

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

ISC024N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
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ISC024N08NM7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V

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PG-TDSON-8

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1 Channel

80 V

167 A

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3.2 V

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150 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

IXTX400N20X4
IXYS
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IXTX400N20X4

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IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 3.3mohm 400A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in PLUS247

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TO-247-3

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200 V

400 A

3.3 mOhms

20 V

4.5 V

348 nC

- 55 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
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IAUCN10S7L040ATMA1

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726-IAUCN10S7L040ATM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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PG-TDSON-8

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100 V

130 A

3.3 mOhms

16 V

2 V

44.3 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQRS160EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $3.92
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SQRS160EP-T1_GE3

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78-SQRS160EP-T1_GE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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PowerPAK SO-8SW

N-Channel

1 Channel

60 V

373 A

2 mOhms

20 V

3.2 V

130 nC

- 55 C

+ 175 C

270 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ858AEP-T1_NE3
Vishay Semiconductors
1: $1.84
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SQJ858AEP-T1_NE3

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78-SQJ858AEP-T1_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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$1.84

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L

N-Channel

1 Channel

40 V

58 A

6.3 mOhms

20 V

2.5 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

48 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

SQM40022EM_NE3
Vishay Semiconductors
1: $3.84
690En existencias
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SQM40022EM_NE3

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78-SQM40022EM_NE3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

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690En existencias

$3.84

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$1.53

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SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

40 V

150 A

1.63 mOhms

20 V

3.5 V

106 C

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7L042GATMA1
Infineon Technologies
1: $1.67
1,729En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L042GATMA1

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726-IAUCN04S7L042GAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

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1,729En existencias

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: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

77 A

4.4 mOhms

20 V

1.8 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

IPLT60R099CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: $4.63
784En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPLT60R099CM8XTMA1

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726-IPLT60R099CM8XTM

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

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784En existencias

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: 1,800

SMD/SMT

PG-HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

99 mOhms

20 V

4.7 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

186 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

ISC040N10NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.09
497En existencias
5,000Se espera el 27/08/2026
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N.º de artículo del Fabricante
ISC040N10NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC040N10NM7ATMA

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V

Hoja de datos

497En existencias

5,000Se espera el 27/08/2026

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$3.09

$1.99

$1.36

$1.11

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Envase tipo carrete

$0.97

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

130 A

4 mOhms

20 V

3.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

SI3493DDV-T1-BE3
Vishay / Siliconix
1: $0.85
5,950En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SI3493DDV-T1-BE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3493DDV-T1-BE3

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Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

Hoja de datos

5,950En existencias

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$0.85

$0.59

$0.373

$0.231

Envase tipo carrete

$0.151

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Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

20 V

8 A

0.024 Ohms

8 V

1 V

34.8 nC

- 55 C

+ 150 C

3.6 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQM120P06-07L_NE3
Vishay Semiconductors
1: $4.21
541En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SQM120P06-07L_NE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQM120P06-07L_NE3

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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541En existencias

$4.21

$2.76

$2.06

$1.73

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SMD/SMT

TO-263-3

P-Channel

1 Channel

60 V

120 A

8.8 mOhms

20 V

2.5 V

180 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

NTMFS4D5N08XT1G
onsemi
1: $1.82
902En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
NTMFS4D5N08XT1G

N.º de artículo de Mouser
863-NTMFS4D5N08XT1G

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onsemi

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Hoja de datos

902En existencias

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$1.82

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Envase tipo carrete

$0.773

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: 1,500

SMD/SMT

DFN-5

N-Channel

1 Channel

80 V

94 A

4.5 mOhms

20 V

3.6 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

82 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: $4.17
716En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE036N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6SCAT

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

Hoja de datos

716En existencias

Cinta cortada

$4.17

$2.73

$2.03

$1.70

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Envase tipo carrete

$1.48

Min.: 1
Mult.: 1

: 6,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F

SSM6K388R,LF
Toshiba
1: $0.67
2,083En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SSM6K388R,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6K388RLF

Nuevo producto

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, SOT-23F

Hoja de datos

2,083En existencias

Cinta cortada

$0.67

$0.464

$0.294

$0.182

Envase tipo carrete

$0.116

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6F

N-Channel

1 Channel

60 V

2 A

87 mOhms

20 V

2.1 V

2.66 nC

+ 150 C

3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

IAUCN04S7N015GATMA1
Infineon Technologies
1: $2.09
1,736En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N015GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N015GAT

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility

Hoja de datos

1,736En existencias

Cinta cortada

$2.09

$1.31

$0.862

$0.684

Envase tipo carrete

$0.497

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Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

THSOG-4

N-Channel

1 Channel

40 V

184 A

1.53 mOhms

20 V

3 V

41 nC

- 55 C

+ 175 C

96 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

SI3410BDV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
1: $0.81
5,950En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SI3410BDV-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SI3410BDV-T1-GE3

Nuevo producto

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Hoja de datos

5,950En existencias

Cinta cortada

$0.81

$0.567

$0.359

$0.221

Envase tipo carrete

$0.145

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

TSOP-6

N-Channel

1 Channel

30 V

6 A

0.0192 Ohms

- 16 V, 20 V

2.2 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

3.3 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S2)MO

SISF12EDN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.12
5,875En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
SISF12EDN-T1-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SISF12EDN-T1-GE3

Nuevo producto

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) COMMON-DRAIN DUAL N-CH 12V (S1-S2)MO

Hoja de datos

5,875En existencias

$1.12

$0.689

$0.453

$0.356

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PowerPAK 1212-8SCD

N-Channel

2 Channel

12 V

109 A

3.6 mOhms

8 V

1 V

45.5 nC

- 55 C

+ 150 C

69.4 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

SQJ768ELP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $2.06
2,300En existencias
3,000Se espera el 23/07/2026
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N.º de artículo del Fabricante
SQJ768ELP-T1_GE3

N.º de artículo de Mouser
78-SQJ768ELP-T1_GE3

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