ALD1115PAL

Name: Advanced Linear Devices ALD1115PAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD1115PAL
Price: 4.39 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

585-ALD1115PAL

Fabricante N.º:

ALD1115PAL

Fabricante:

Advanced Linear Devices

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp N-Channel & P-Channel

Hoja de datos:

ALD1115PAL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Advanced Linear Devices
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	PDIP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	10 V
Id - Corriente de drenaje continua:	2 mA, 4.8 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	350 Ohms, 1.2 kOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	400 mV
Temperatura de trabajo mínima:	0 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 70 C
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Advanced Linear Devices
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	ALD1115P
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Peso de la unidad:	1 g