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DMN63D1LT-7

Name: Diodes Incorporated DMN63D1LT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMN63D1LT-7
Price: 0.7 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

621-DMN63D1LT-7

Fabricante N.º:

DMN63D1LT-7

Fabricante:

Diodes Incorporated
Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V

Hoja de datos:

DMN63D1LT-7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.70	$0.70
	$0.428	$4.28
	$0.289	$28.90
	$0.209	$104.50
	$0.178	$178.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
	$0.137	$411.00
	$0.128	$768.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:

DMN63D1LT-13

Embalaje:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$0.49

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOT-523-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	320 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	392 pC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	330 mW
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	80 mS
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3.4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3.9 ns
Peso de la unidad:	2 mg

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Hoja de datos

DMN63D1LT-7 Hoja de datos (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.