DMN65D8LFB-7

Diodes Incorporated
621-DMN65D8LFB-7
DMN65D8LFB-7

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Dual Enh 20Vgss 300mW Pd

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:
0

Aún puede comprar este producto que se encuentra pendiente.

En pedido:
1,297
Se espera el 18/11/2026
33,000
9,000
Se espera el 18/12/2026
12,000
Se espera el 15/01/2027
12,000
Se espera el 19/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$0.39 $0.39
$0.268 $2.68
$0.17 $17.00
$0.107 $53.50
$0.094 $94.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.067 $201.00
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Diodes Incorporated
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
X1-DFN1006-3
N-Channel
1 Channel
60 V
400 mA
3 Ohms
- 20 V, 20 V
1.2 V
- 55 C
+ 150 C
430 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Diodes Incorporated
Configuración: Single
Tiempo de caída: 6.29 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 3.15 ns
Serie: DMN65D
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 12.025 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 3.27 ns
Peso de la unidad: 80 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
854121000
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.