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DMTH4008LFDFW-13

Name: Diodes Incorporated DMTH4008LFDFW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH4008LFDFW-13
Price: 0.24 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

621-DMTH4008LFDFW-13

Fabricante N.º:

DMTH4008LFDFW-13

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K

Hoja de datos:

DMTH4008LFDFW-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	U-DFN2020-6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	11.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	11.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1 V
Qg - Carga de puerta:	14.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	2.35 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	5.8 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3.1 ns
Serie:	DMTH4008
Cantidad de empaque de fábrica:	10000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	14.2 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3.1 ns
Peso de la unidad:	65 mg