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DMTH6012LPSW-13

Name: Diodes Incorporated DMTH6012LPSW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH6012LPSW-13
Price: 1.18 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

621-DMTH6012LPSW-13

Fabricante N.º:

DMTH6012LPSW-13

Fabricante:

Diodes Incorporated

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Hoja de datos:

DMTH6012LPSW-13 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$1.18	$1.18
	$0.727	$7.27
	$0.479	$47.90
	$0.376	$188.00
	$0.322	$322.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.255	$637.50

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diodes Incorporated
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerDI5060-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	60 V
Id - Corriente de drenaje continua:	11.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	14 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.3 V
Qg - Carga de puerta:	13.6 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	2.8 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Diodes Incorporated
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	8.5 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	4.4 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	14.7 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	3.2 ns
Peso de la unidad:	97 mg