Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

DI038N04PQ2-AQ

Name: Diotec Semiconductor DI038N04PQ2-AQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI038N04PQ2-AQ
Price: 1.83 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

637-DI038N04PQ2-AQ

Fabricante N.º:

DI038N04PQ2-AQ

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 45V, 38A, 150C, N, AEC-Q101

Hoja de datos:

DI038N04PQ2-AQ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Diotec Semiconductor DI038N04PQ2-AQ

En existencias: 5,000

Existencias:: 5,000 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.83	$1.83
	$1.43	$14.30
	$0.858	$85.80
	$0.85	$425.00
	$0.823	$823.00
	$0.727	$1,817.50
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$0.684	$3,420.00
	$0.59	$5,900.00
25,000	Presupuesto

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerQFN 5x6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	45 V
Id - Corriente de drenaje continua:	38 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.6 V
Qg - Carga de puerta:	14 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	31 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Nombre comercial:	DI038N04PQ2-AQ
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	2 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	13 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	30 ns
Serie:	DI0XX
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	19 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	47 ns
Peso de la unidad:	200 mg

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

DI038N04PQ2-AQ Hoja de datos (PDF)

Models

PCN

Product Change Notification (PDF)

Full Material Declaration (PDF)

USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

DIxxNxx-PQ N-Channel Power MOSFETs

Diotec Semiconductor DIxxNxx-PQ N-Channel Power MOSFETs are packaged in a compact 5mm x 6mm Power QFN package and operate in a -55°C to +150°C junction temperature range. At nominal 80A to 110A and 40V/60V/100V, these MOSFETs feature low on-state resistance, fast switching times, and low thermal resistance. The low gate threshold voltage allows for the logic level drive, while its very low gate charge and output charge reduce power losses and improve overall efficiency. Commercial, industrial, and automotive application uses include DC-DC converters, synchronous rectifiers, power tools, and more. The suffix -AQ stands for fully AEC-Q101 qualified parts.

Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs

Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs are AEC-Q101 qualified and leverage advanced trench technology, which enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge. This results in improved efficiency and reduced power loss. The Diotec Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs also feature low on-state resistance, which minimizes conduction losses and enhances overall system performance. These characteristics make the MOSFETs ideal for various automotive and industrial applications where reliability and efficiency are paramount.

DI038N04PQ2 Dual N-Channel Power MOSFETs

Diotec Semiconductor DI038N04PQ2 Dual N-Channel Power MOSFETs offer a low on-state resistance (10mΩ typical), a low gate charge, and fast switching times with an Avalanche rating (36mJ maximum single pulse). DI038N04PQ2 MOSFETs feature a 45V maximum drain-source voltage, 31W maximum power dissipation, and 830pF typical capacitance in a -50°C to +150°C junction temperature range. The Diotec Semiconductor DI038N04PQ2 Dual N-Channel Power MOSFETs are for DC-DC converters, power supplies, DC drives, and synchronous rectifiers.