IXBT2N250-TR

IXYS
747-IXBT2N250-TR
IXBT2N250-TR

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXBT2N250 TR

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
39 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 400   Múltiples: 400
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 400)
$23.14 $9,256.00

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
IXBT2N250
Embalaje:
Tube
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$32.06
Mín.:
1

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TO-268-3
N-Channel
1 Channel
2.5 kV
5 A
- 20 V, 20 V
3 V
10.6 nC
- 55 C
+ 150 C
32 W
Enhancement
Reel
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 178 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 0.85 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 280 ns
Serie: BIMOSFET
Cantidad de empaque de fábrica: 400
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 74 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 30 ns
Peso de la unidad: 6.500 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors


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