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IXFA10N60P-TRL

Name: IXYS IXFA10N60P-TRL
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA10N60P-TRL
Price: 2.54 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXFA10N60P-TRL

Fabricante N.º:

IXFA10N60P-TRL

Fabricante:

IXYS

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Embalaje:

Tube

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$6.71

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	10 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	740 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.5 V
Qg - Carga de puerta:	32 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	200 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Reel
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	21 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	27 ns
Serie:	IXFA10N60P
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	21 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns
Peso de la unidad:	4 g