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IXFA180N10T2-TRL

Name: IXYS IXFA180N10T2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA180N10T2-TRL
Price: 4.4 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXFA180N10T2-TRL

Fabricante N.º:

IXFA180N10T2-TRL

Fabricante:

IXYS

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Embalaje:

Tube

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Mín.:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	180 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	6 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	185 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	480 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	50 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	37 ns
Serie:	TrenchT2
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	34 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	21 ns
Peso de la unidad:	4 g