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IXFA4N60P3

Name: IXYS IXFA4N60P3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFA4N60P3
Price: 2.75 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXFA4N60P3

Fabricante N.º:

IXFA4N60P3

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.2 Ohms
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	IXFA4N60P
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	4 g

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541900080
JPHTS:: 8542900006
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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