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IXFB38N100Q2

Name: IXYS IXFB38N100Q2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFB38N100Q2
Price: 34.44 USD
Availability: Discontinued

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Mouser N.º:

747-IXFB38N100Q2

Fabricante N.º:

IXFB38N100Q2

Fabricante:

IXYS

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

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Modelo ECAD:

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$34.44	$861.00
	$30.73	$3,073.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	PLUS-264-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	38 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	280 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	890 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tiempo de caída:	15 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	28 ns
Serie:	IXFB38N100
Cantidad de empaque de fábrica:	25
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	57 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns
Peso de la unidad:	1.600 g