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IXFP20N50P3M

Name: IXYS IXFP20N50P3M
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFP20N50P3M
Price: 3.54 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXFP20N50P3M

Fabricante N.º:

IXFP20N50P3M

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET

Hoja de datos:

IXFP20N50P3M Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	500 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	300 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3 V
Qg - Carga de puerta:	36 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	58 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	IXFP20N50
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	2 g

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8542900006
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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