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IXFX32N80Q3

Name: IXYS IXFX32N80Q3
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFX32N80Q3
Price: 39.25 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXFX32N80Q3

Fabricante N.º:

IXFX32N80Q3

Fabricante:

IXYS

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	800 V
Id - Corriente de drenaje continua:	32 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	270 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Qg - Carga de puerta:	140 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	1 kW
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	300 ns
Serie:	IXFX32N80
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	6 g