IXTA110N055T7

IXYS
747-IXTA110N055T7
IXTA110N055T7

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 55V 6.7 Rds

Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.45 $3.45
$2.24 $22.40
$1.54 $154.00
$1.28 $640.00
$1.19 $1,190.00
$1.12 $2,800.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
55 V
110 A
7 mOhms
- 55 C
+ 175 C
230 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: Not Available
Tiempo de caída: 24 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 30 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 40 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns
Peso de la unidad: 1.600 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99