IXTA1N100P

IXYS
747-IXTA1N100P
IXTA1N100P

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1 Amps 1000V 14 Rds

Modelo ECAD:
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En existencias: 260

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
138 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$4.35 $4.35
$2.77 $27.70
$2.10 $210.00
$1.66 $830.00
$1.60 $1,600.00
$1.56 $3,900.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
1 kV
1.2 A
13 Ohms
- 20 V, 20 V
2.5 V
15.5 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 24 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 26 ns
Serie: IXTA1N100
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 55 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 20 ns
Peso de la unidad: 4 g
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99