IXTA3N100D2HV-TRL

IXYS
747-IXTA3N100D2HVTRL
IXTA3N100D2HV-TRL

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA3N100D2HV TRL

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
19 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Mínimo: 800   Múltiples: 800
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
$3.91 $3,128.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TO-263HV-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
3 A
6 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
37.5 nC
- 55 C
+ 150 C
125 W
Depletion
Reel
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 40 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 67 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 800
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 34 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 27 ns
Peso de la unidad: 2.500 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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