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IXTA6N100D2

Name: IXYS IXTA6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTA6N100D2
Price: 10.28 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXTA6N100D2

Fabricante N.º:

IXTA6N100D2

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A

Hoja de datos:

IXTA6N100D2 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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N.º de artículo del Fabricante:

IXTA6N100D2-TRL

Embalaje:

Reel, Cut Tape

Disponibilidad:

En existencias

Precio:

$12.76

Mín.:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263AA-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.2 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	95 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	300 W
Modo canal:	Depletion
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	47 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	2.6 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	80 ns
Serie:	IXTA6N100
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	34 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns
Peso de la unidad:	1.600 g

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Models

IXTA6N100D2 Symbol & Footprint by SnapMagic

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.