IXTH120P065T

IXYS
747-IXTH120P065T
IXTH120P065T

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -120 Amps -65V 0.01 Rds

Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
P-Channel
1 Channel
65 V
120 A
10 mOhms
- 15 V, 15 V
4 V
58 nC
- 55 C
+ 150 C
298 W
Enhancement
TrenchP
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 21 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 75 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 28 ns
Serie: IXTH120P065
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541500000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.