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IXTH160N10T

Name: IXYS IXTH160N10T
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH160N10T
Price: 8.34 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXTH160N10T

Fabricante N.º:

IXTH160N10T

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 160 Amps 100V 6.9 Rds

Hoja de datos:

IXTH160N10T Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	160 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	132 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	430 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	42 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	65 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	61 ns
Serie:	IXTH160N10
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	49 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	33 ns
Peso de la unidad:	6 g

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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