IXTH300N04T2

IXYS
747-IXTH300N04T2
IXTH300N04T2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench T2 Power MOSFET

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Plazo de entrega de fábrica:
28 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 300   Múltiples: 30
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$5.63 $1,689.00
$5.21 $2,657.10

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
40 V
300 A
2.5 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
145 nC
- 55 C
+ 175 C
480 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 55 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 17 ns
Serie: IXTH300N04
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 32 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 22 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541900000
USHTS:
8541900080
JPHTS:
8542900006
TARIC:
8541900000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
República de Corea
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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