Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

IXTH340N04T4

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

747-IXTH340N04T4

Fabricante N.º:

IXTH340N04T4

Fabricante:

IXYS

Ciclo de vida:

Obsoleto

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Alerta de envío:

Mouser actualmente no vende este producto en su región.

Existencias:: Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	340 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.9 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 15 V, 15 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	256 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	480 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	HiPerFET
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	40 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	110 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	55 ns
Serie:	Gen4
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	113 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns
Peso de la unidad:	6 g