IXTK21N100

747-IXTK21N100
IXTK21N100

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds

Ciclo de vida:
Obsoleto
Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricciones de envío:
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RoHS:  
Si
Through Hole
TO-264-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
21 A
550 mOhms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
500 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
Tiempo de caída: 40 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 50 ns
Serie: IXTK21N100
Cantidad de empaque de fábrica: 25
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 100 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 30 ns
Peso de la unidad: 10 g
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Filipinas
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

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