IXTP05N100M

IXYS
747-IXTP05N100M
IXTP05N100M

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.5 Amps 1000V

Modelo ECAD:
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Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$6.46 $6.46
$4.23 $42.30
$3.11 $311.00
$2.76 $1,380.00
$2.49 $2,490.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
700 mA
15 Ohms
- 30 V, 30 V
4.5 V
7.8 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Tiempo de caída: 28 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 0.55 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 19 ns
Serie: IXTP05N100
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 40 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 11 ns
Peso de la unidad: 2 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99