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IXTP1R4N120P

Name: IXYS IXTP1R4N120P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP1R4N120P
Price: 4.23 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

747-IXTP1R4N120P

Fabricante N.º:

IXTP1R4N120P

Fabricante:

IXYS

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	1.4 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	13 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	24.8 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	86 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	KR
Tiempo de caída:	29 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	27 ns
Serie:	IXTP1R4N120
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	78 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	25 ns
Peso de la unidad:	2 g