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IXTP1R6N100D2

Name: IXYS IXTP1R6N100D2
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP1R6N100D2
Price: 5.73 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

747-IXTP1R6N100D2

Fabricante N.º:

IXTP1R6N100D2

Fabricante:

IXYS

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A

Hoja de datos:

IXTP1R6N100D2 Hoja de datos

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	$2.76	$276.00
	$2.45	$1,225.00
	$2.17	$2,170.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	1.6 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10 Ohms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	27 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	100 W
Modo canal:	Depletion
Empaquetado:	Tube
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	IXTP1R6N100
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Peso de la unidad:	2 g

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541900000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8542900006
TARIC:: 8541900000
MXHTS:: 8541900299
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: República de Corea
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.